MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要
<p>먼저, 게이트 산화막 상에 폴리실리콘막을 형성한다. 다음으로, 폴리실리콘막 상에 폴리실리콘 산화막을 형성한다. 그 후, 폴리실리콘막을 열처리하여, 폴리실리콘막내에 결정립이 게이트 산화막 및 폴리실리콘 산화막으로부터 성장하도록 한다. 이러한 방식으로 제조한 MOS형 반도체 장치는 게이트 전극의 두께 방향으로 실질적으로 단결정립을 갖는 복수의 적층된 다결정 실리콘층으로 이루어진 게이트 전극을 갖는다.</p>
