发明名称 Method for forming feram capable of preventing hydrogen diffusion using oxygen plasma
摘要 <p>본 발명은 금속배선간 절연막 및 페시베이션막 형성시 수소확산에 의한 강유전체 특성 저하를 효과적으로 방지할 수 있는 강유전체 메모리 소자 제조 방법에 관한 것으로, 층간절연막, 금속배선간 절연막 및 페시베이션막 형성 공정 전에 산소 플라즈마를 이용한 사전 처리를 실시하여 수소에 의한 손상을 방지하는데 그 특징이 있다.</p>
申请公布号 KR100349684(B1) 申请公布日期 2002.08.22
申请号 KR19990024989 申请日期 1999.06.28
申请人 주식회사 하이닉스반도체 发明人 양우석
分类号 H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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