Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschaltungsanordnung

摘要

Zur Vereinfachung eines Verfahrens zum Herstellen einer Speichereinrichtung (1) mit einer Mehrzahl von MRAM-Zellen (30) in einem Kreuzungsbereich (40) von Leitungselementen (10, 20) wird vorgeschlagen, dass das Strukturieren der Speicherelemente (30) jeweils gleichzeitig mit dem Strukturieren der ersten und zweiten Leitungselemente (10, 20) durchgeführt wird.