| 摘要 |
<p>본 발명은 저온에서의 에피택셜 코발트다이실리사이드 형성과 고집적회로 반도체소자에 이용되는 모스 트랜지스터에서의 콘택 형성방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 미세구조의 고집적 반도체 소자의 소스/드레인 및 폴리실리콘 게이트 전극의 접촉저항과 비저항을 감소시키기 위한 실리사이드 공정에서 단결정 CoSi를 형성시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 단결정 CoSi를 형성시키기 위하여 400∼600℃로 실리콘 기판 온도를 유지한 다음 코발트를 스퍼터링법 이나 금속유기화학증착법을 이용하여 임계증착속도 이하로 공급하여 400∼600℃의 저온에서 에피택셜 CoSi이나 (100) 우선방위를 가진 CoSi를 반응기 내에서 인시튜(In-situ)로 형성시킨다. 본 발명은 400∼600℃의 온도에서 코발트의 공급을 임계증착속도 이하로 낮추어 코발트와 실리콘의 금속간 화합물인 CoSi나 CoSi와 같은 중간 화합물을 형성시키지 않고 바로 CoSi를 직접 형성시킴으로서 중간층의 증착 및 보호막 증착 공정 없이 실리사이드 형성공정을 단순화시킬 수 있으며, 미세구조의 콘택공정에서도 누설전류가 적은 콘택공정을 수행할 수 있어 기가디램급 이상의 초미세반도체 집적회로 제조에 이용할 수 있다.</p> |
