Verwendung einer Einebnungs-Dielektrikumsschicht zur Verringerung des Einbeulungseffekts, der bei einer chemisch-mechanischen Bearbeitung auftritt, die bei der Herstellung von Isolationsbereichen in Form wenig tiefer Gräben eingesetzt wird

摘要

Es wurde ein Verfahren zur Herstellung von mit Siliziumoxid gefüllten Bereichen in Form einer Isolation mit wenig tiefen Gräben (STI) in einem Halbleitersubstrat entwickelt, wobei eine Schicht aus entsorgbarem Borphosphorsiliktatglas (BPSG) zum Einebnen vom mit Siliziumoxid gefüllten STI-Bereichen verschiedener Breiten verwendet wird. Nach dem vollständigen Ausfüllen sämtlicher STI-Formen mit einer Siliziumoxidschicht, die unter Verwendung eines Plasmas hoher Dichte (HDP) hergestellt wird, was zu einer Topographie, die nicht eben ist, der oberen Oberfläche aus HDP-Siliziumoxidschicht führt, wird eine BPSG-Schicht abgelagert. Dann wird eine Anlaßbearbeitung durchgeführt, die zu einer Topographie einer ebenen oberen Oberfläche der aufgeschmolzenen BPSG-Schicht führt. Eine chemisch-mechanische Polierbearbeitung wird dann dazu eingesetzt, um die ebene, aufgeschmolzene BPSG-Schicht zu entfernen, sowie Teile des darunterliegenden HDP-Siliziumoxids, von der oberen Oberfläche einer Siliziumnitrid-Sperrschicht , was zu einer Topographie mit ebener oberer Oberfläche bei sämtlichen mit Siliziumoxid gefüllten Isolierbereichen führt.