| 主权项 |
1.一种制造粒子监测用矽单结晶晶圆之方法,其包括藉柴克劳斯基法来使一种掺有氮的矽单晶棒成长,该掺入矽单晶棒内的氮浓度系控制在11010至51015原子/立方公分的范围内,及将矽单晶棒加工成晶圆以产生一种粒子监测用矽单结晶晶圆。2.如申请专利范围第1项之制造粒子监测用矽单结晶晶圆之方法,其中在将矽单晶棒加工成晶圆以产生矽单结晶晶圆后,矽单结晶晶圆系经历热处理,俾晶圆表面部分中所含的氮系向外扩散的。3.如申请专利范围第1项之制造粒子监测用矽单结晶晶圆之方法,其中当藉柴克劳斯基法使掺有氮的矽单晶棒成长时,单晶棒中所含有的氧浓度系控制在1.21018原子/立方公分或较小。4.一种粒子监测用矽单结晶晶圆,其中它是藉由将矽单晶棒加工成晶圆而获得的一种粒子监测用矽单结晶晶圆,该晶棒已经由柴克劳斯基法制得并掺有氮,且该粒子监测用矽单结晶晶圆之氮浓度系在11010至51015原子/立方公分的范围内。5.如申请专利范围第4项之粒子监测用矽单结晶晶圆,其中晶圆表面部分中所含有的氮系经热处理而向外扩散的。6.如申请专利范围第4项之粒子监测用矽单结晶晶圆,其中粒子监测用矽单结晶晶圆中的氧浓度系1.21018原子/立方公分或较小。7.如申请专利范围第4项之粒子监测用矽单结晶晶圆,其中晶圆表面的晶体缺陷密度系30个缺陷/平方公分或较少。8.如申请专利范围第4项之粒子监测用矽单结晶晶圆,其中晶圆表面的晶体缺陷密度系30个缺陷/平方公分或较少。9.如申请专利范围第5项之粒子监测用矽单结晶晶圆,其中晶圆表面的晶体缺陷密度系30个缺陷/平方公分或较少。10.如申请专利范围第6项之粒子监测用矽单结晶晶圆,其中晶圆表面的晶体缺陷密度系30个缺陷/平方公分或较少。图式简单说明:图1显示以粒子计数器测量表面晶体缺陷密度之结果,其由实例和比较例在用SC-1清洁溶液清洗一小时后获得的,与没有氮掺杂、或有氮掺杂但没有热处理、或有氮掺杂和热处理所制造的晶圆有关。 |
