| 主权项 |
1.一种电气光学装置,其特征为:由:具有复数之像素电极之第1基板;及具有被与前述像素电极对向配置之对向电极之第2基板;及被以前述第1基板与前述第2基板夹持之电气光学物质形成,前述电气光学物质系使以互相不同之极性被驱动之邻接的前述像素电极间之前述电气光学物质之层厚比以互相相同之极性被驱动之邻接的前述像素电极间之前述电气光学物质之层厚薄。2.如申请专利范围第1项记载之电气光学装置,其中前述像素电极系依每行或每列被反转驱动。3.如申请专利范围第2项记载之电气光学装置,其中对于前述被反转驱动之行或列,使交叉之像素间之前述电气光学物质之层厚比前述被反转驱动之行或列之像素间之前述电气光学物质之层厚薄。4.如申请专利范围第1项记载之电气光学装置,其中在前述第1基板具有:对应以互相不同极性被驱动之邻接的像素电极间之部位,被形成在前述像素电极下之隆起部。5.如申请专利范围第4项记载之电气光学装置,其中前述隆起部系在平坦之前述第1基板上积层绝缘层与配线层而形成。6.如申请专利范围第4项记载之电气光学装置,其中前述邻接之各像素电极之边缘部系位于前述隆起部上。7.如申请专利范围第6项记载之电气光学装置,其中前述邻接之各各像素电极之边缘部之宽幅与前述第2基板之对向电极与前述像素电极之边缘部为止之距离几乎相等。8.如申请专利范围第6项记载之电气光学装置,其中前述邻接之各各像素电极之边缘部之宽幅比单元间隔之一半的厚度还长。9.如申请专利范围第6项记载之电气光学装置,其中前述隆起部至少具有300nm之厚度。10.如申请专利范围第4项记载之电气光学装置,其中前述电气光学物质系由Twisted Nematic液晶形成,前述隆起部在侧面具有倾斜面,前述Twisted Nematic液晶之预倾角之倾斜方向与前述隆起部之倾斜面之倾斜方向一致。11.如申请专利范围第4项记载之电气光学装置,其中前述电气光学物质由Vertically Aligned液晶形成,前述隆起部具有对于前述第1基板之平面为略垂直之侧面。12.如申请专利范围第1项记载之电气光学装置,其中前述第2基板具有:对应以互相不同极性被驱动之邻接的像素电极间之部位,被形成在前述对向电极下之隆起部。13.如申请专利范围第12项记载之电气光学装置,其中前述隆起部形成遮光膜。14.如申请专利范围第12项记载之电气光学装置,其中前述邻接之各各像素电极之边缘部系位于前述隆起部下。15.如申请专利范围第14项记载之电气光学装置,其中前述邻接之各各像素电极之边缘部之宽幅与前述第2基板之对向电极与前述像素电极之边缘部为止之距离几乎相等。16.如申请专利范围第14项记载之电气光学装置,其中前述邻接之各各像素电极之边缘部之宽幅比单元间隔之一半的厚度还长。17.如申请专利范围第14项记载之电气光学装置,其中前述隆起部至少具有300nm之厚度。18.如申请专利范围第1项记载之电气光学装置,其中在前述第2基板具有:对应以互相相同极性被驱动之邻接的像素电极间之部位,被形成在前述电气光学物质侧表面之平坦部。19.如申请专利范围第18项记载之电气光学装置,其中前平坦部系在前述第1基板之表面形成沟,对应前述沟之区域设置配线而形成。20.一种电气光学装置,其特征系由:具有复数之像素电极之第1基板;及具有被与前述像素电极对向配置之对向电极之第2基板;及被以前述第1基板与前述第2基板夹持之电气光学物质;及对应以互相不同之极性被驱动邻接之前述像素电极间,被形成在前述第1基板之前述像素电极下之隆起部所形成。21.一种电气光学装置,其特征系由:具有复数之像素电极之第1基板;及具有被与前述像素电极对向配置之对向电极之第2基板;及被以前述第1基板与前述第2基板夹持之电气光学物质;及对应以互相不同之极性被驱动邻接之前述像素电极间,被形成在前述第2基板之前述对向电极下之隆起部所形成。22.一种电气光学装置,其特征系由:具有复数之像素电极之第1基板;及具有被与前述像素电极对向配置之对向电极之第2基板;及被以前述第1基板与前述第2基板夹持之电气光学物质;及对应以互相相同之极性被驱动邻接之前述像素电极间,被形成在前述第1基板之前述电气光学物质侧表面之平坦部所形成。23.一种电气光学装置,其特征为具备:具有:复数条之资料线;及与前述资料线交叉之复数条的扫描线;及被形成在以前述资料线与前述扫描线所包围之区域,被配置为矩阵状之复数的像素电极;及具有被接续于前述资料线与前述扫描线,将影像讯号输出于前述像素电极之开关元件之元件基板;及具备被与前述像素电极对向配置之对向电极之对向基板;及被设置在前述元件基板与前述对向基板之间之电气光学物质;及被形成在沿着前述元件基板之前述资料线之区域之电气光学物质侧表面之平坦部;及被形成在沿着前述元件基板之前述扫描线之区域之电气光学物质侧表面之隆起部。24.如申请专利范围第23项记载之电气光学装置,其中前述被配置为矩阵状之复数的像素电极系沿着前述扫描线之方向的像素电极之每一行被反转驱动者。25.如申请专利范围第23项记载之电气光学装置,其中前述隆起部被形成在沿着前述扫描线之电容线之区域。26.如申请专利范围第25项记载之电气光学装置,其中前述电容线系被形成在与前述扫描线同一层。27.如申请专利范围第25项记载之电气光学装置,其中前述电容线系透过绝缘膜被形成在前述扫描线之区域上。28.如申请专利范围第23项记载之电气光学装置,其中前述隆起部之顶上附近平坦地形成。29.如申请专利范围第23项记载之电气光学装置,其中前述平坦部在沿着前述元件基板之前述资料线之区域形成沟地构成。30.一种电气光学装置,其特征为具备:具有:复数条之资料线;及与前述资料线交叉之复数条的扫描线;及被形成在以前述资料线与前述扫描线所包围之区域,被配置为矩阵状之复数的像素电极;及具有被接续于前述资料线与前述扫描线,将影像讯号输出于前述像素电极之开关元件之元件基板;及具备被与前述像素电极对向配置之对向电极之对向基板;及被设置在前述元件基板与前述对向基板之间之电气光学物质;及被形成在沿着前述元件基板之前述资料线之区域之电气光学物质侧表面之隆起部;及被形成在沿着前述元件基板之前述扫描线之区域之电气光学物质侧表面之平坦部。31.如申请专利范围第30项记载之电气光学装置,其中前述被配置为矩阵状之复数的像素电极系于沿着前述扫描线之方向的像素电极之每一行被反转驱动。32.如申请专利范围第30项记载之电气光学装置,其中更具备沿着前述扫描线之电容线,前述平坦部被形成在前述电容线之区域。33.如申请专利范围第32项记载之电气光学装置,其中前述电容线被形成在与前述扫描线同一层。34.如申请专利范围第32项记载之电气光学装置,其中前述电容线系透过绝缘膜被形成在前述扫描线之区域上。35.如申请专利范围第30项记载之电气光学装置,其中前述隆起部之顶上附近平坦地形成。36.如申请专利范围第32项记载之电气光学装置,其中前述平坦部在沿着前述元件基板之前述扫描线以及前述电容线之区域之至少一部份形成沟地构成。37.一种电气光学装置,其特征为具备:具有:复数条之资料线;及与前述资料线交叉之复数条的扫描线;及被形成在以前述资料线与前述扫描线所包围之区域,被配置为矩阵状之复数的像素电极;及具有被接续于前述资料线与前述扫描线,将影像讯号输出于前述像素电极之开关元件之元件基板;及具备被与前述像素电极对向配置之对向电极之对向基板;及被设置在前述元件基板与前述对向基板之间之电气光学物质;及被形成在对应沿着前述元件基板之前述资料线之区域之前述对向基板之电气光学物质侧表面之平坦部;及被形成在对应沿着前述元件基板之前述扫描线之区域之前述对向基板之电气光学物质侧表面之隆起部。38.如申请专利范围第37项记载之电气光学装置,其中前述被配置为矩阵状之复数的像素电极系沿着前述扫描线之方向的像素电极之每一行被反转驱动。39.如申请专利范围第37项记载之电气光学装置,其中更具备沿着前述扫描线之电容线,前述隆起部被形成在前述电容线之区域。40.如申请专利范围第39项记载之电气光学装置,其中前述电容线被形成在与前述扫描线同一层。41.如申请专利范围第39项记载之电气光学装置,其中前述电容线系透过绝缘膜被形成在前述扫描线之区域上。42.如申请专利范围第37项记载之电气光学装置,其中前述元件基板系在前述元件基板之表面形成对应前述资料线延伸之区域之沟,使前述元件基板之电气光学物质侧表面平坦。43.如申请专利范围第37项记载之电气光学装置,其中前述元件基板系在前述元件基板之表面形成对应前述扫描线延伸之区域之沟,使前述元件基板之电气光学物质侧表面平坦。44.一种电气光学装置,其特征为具备:具有:复数条之资料线:及与前述资料线交叉之复数条的扫描线;及被形成在以前述资料线与前述扫描线所包围之区域,被配置为矩阵状之复数的像素电极;及具有被接续于前述资料线与前述扫描线,将影像讯号输出于前述像素电极之开关元件之元件基板;及具备被与前述像素电极对向配置之对向电极之对向基板;及被设置在前述元件基板与前述对向基板之间之电气光学物质;及被形成在对应沿着前述元件基板之前述资料线之区域之前述对向基板之电气光学物质侧表面之隆起部;及被形成在对应沿着前述元件基板之前述扫描线之区域之前述对向基板之电气光学物质侧表面之平坦部。45.如申请专利范围第44项记载之电气光学装置,前述被配置为矩阵状之复数的像素电极系沿着前述扫描线之方向的像素电极之每一行被反转驱动者。46.如申请专利范围第44项记载之电气光学装置,其中更具备沿着前述扫描线之电容线,前述隆起部被形成在前述电容线之区域。47.如申请专利范围第46项记载之电气光学装置,其中前述电容线被形成在与前述扫描线同一层。48.如申请专利范围第46项记载之电气光学装置,其中前述电容线系透过绝缘膜被形成在前述扫描线之区域上。49.如申请专利范围第44项记载之电气光学装置,其中前述元件基板系在前述元件基板之表面形成对应前述资料线延伸之区域之沟,使前述元件基板之电气光学物质侧表面平坦。50.如申请专利范围第44项记载之电气光学装置,其中前述元件基板系在前述元件基板之表面形成对应前述扫描线延伸之区域之沟,使前述元件基板之电气光学物质侧表面平坦。51.一种投影机,其特征为具备:由申请专利范围第1项至第50项所记载之任一个电气光学装置形成之光阀;及投射光学系。52.一种电气光学装置,其特征为具备:具有:复数条之资料线;及与前述资料线交叉之复数条的扫描线;及被形成在以前述资料线与前述扫描线所包围之区域,被配置为矩阵状之复数的像素电极;及具有被接续于前述资料线与前述扫描线,将影像讯号输出于前述像素电极之开关元件之元件基板;及具备被与前述像素电极对向配置之对向电极之对向基板;及被设置在前述元件基板与前述对向基板之间之电气光学物质;及在前述元件基板之电气光学物质侧表面与前述对向基板之电气光学物质侧表面至少部份被形成之隆起部。53.如申请专利范围第52项记载之电气光学装置,其中前述隆起部系被形成在前述元件基板上之横电场产生区域。54.如申请专利范围第52项记载之电气光学装置,其中前述隆起部系被形成在对应以互相不同极性被驱动之邻接的前述像素电极间之区域。55.如申请专利范围第52项记载之电气光学装置,其中前述元件基板侧之隆起部与前述对向基板侧之隆起部系对向被形成。56.如申请专利范围第52项记载之电气光学装置,其中前述元件基板侧之隆起部与前述对向基板侧之隆起部系被形成在不同之部位。图式简单说明:图1系被设置在构成第1实施例之电气光学装置之影像显示区域之矩阵状的复数像素之各种元件,配线等之等效电路。图2系第1实施例之电气光学装置之资料线、扫描线、像素电极等被形成之TFT阵列基板之相邻接的复数像素群之平面图。图3系图2之A-A′剖面图。图4系图2之B-B′剖面图。图5系图2之C-C′剖面图。图6系显示在第1实施例以及第3实施例所使用之1H反转驱动方式之各电极之电位极性与产生横电场之区域之像素电极之图示平面图。图7系显示在第1实施例使用TN液晶之情形的液晶分子之定向的样子之图示剖面图。图8系显示在第1实施例使用VA液晶之情形的液晶分子之定向的样子之图示剖面图。图9系依序显示第1实施例之电气光学装置之制造制程之工程图。图10系本发明之第2实施例之电气光学装置之资料线、扫描线、像素电极等被形成之TFT阵列基板之相邻接的复数像素群之平面图。图11系图10之A-A′剖面图。图12系图10之B-B′剖面图。图13系图10之C-C′剖面图。图14系显示在第2实施例以及第4实施例所使用之1S反转驱动方式之各电极之电位极性与产生横电场之区域之像素电极之图示平面图。图15系本发明之第3实施例之电气光学装置之资料线、扫描线、像素电极等被形成之TFT阵列基板之相邻接的复数像素群之平面图。图16系图15之A-A′剖面图。图17系图15之B-B′剖面图。图18系图15之C-C′剖面图。图19系显示第3实施例之隆起部之各种的剖面形状之剖面图。图20系显示第3实施例之隆起部之各种的剖面形状之剖面图。图21系显示在第3实施例使用TN液晶之情形的液晶分子之定向的样子之图示剖面图。图22显示在第3实施例使用VA液晶之情形的液晶分子之定向的样子之图示剖面图。图23依序显示第3实施例之电气光学装置之制造制程之工程图。图24系显示被形成在第3实施例之对向基板上之隆起部与遮光膜之平面布置之各种具体例之一个平面图。图25显示被形成在第3实施例之对向基板上之隆起部与遮光膜之平面布置之各种具体例之其它平面图。图26系本发明之第4实施例之电气光学装置之资料线、扫描线、像素电极等被形成之TFT阵列基板之相邻接的复数像素群之平面图。图27系图26之A-A′剖面图。图28系图26之B-B′剖面图。图29系图26之C-C′剖面图。图30系第5实施例之扫描线以及电容线延伸存在之部位之剖面图。图31系第6实施例之扫描线以及电容线延伸存在之部位之剖面图。图32系使各实施例之电气光学装置之TFT阵列基板与被形成在其上之各构成元件一齐地由对向基板侧所见之平面图。图33系图32之H-H′剖面图。图34系电子机器之实施例。图35系使用本实施例之应用例之投射型显示装置之实施例。图36系使用本实施例之应用例之个人电脑之实施例。 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