| 主权项 |
1.一种化学机械研磨浆液,其包含:70-99.5重量%之水性介质;0.1-25重量%之研磨颗粒;0.01-2重量%之研磨促进剂;及0.01-1重量%之水溶性阴电性化学品,其中该研磨促进剂系包含下述成份之结合物:(1)选自亚磷酸、亚磷酸盐或其混合物之成份;及(2)选自胺基酸、胺基酸盐、羧酸、羧酸盐、或此等酸及/或盐之混合物之成份。2.根据申请专利范围第1项之浆液,其中该研磨颗粒系选自SiO2.Al2O3.ZrO2.CeO2.SiC、Fe2O3.TiO2.Si3N4.或其混合物。3.根据申请专利范围第1项之浆液,其系包含0.5-15重量%之该研磨颗粒。4.根据申请专利范围第1项之浆液,其系包含0.5-8.0重量%之该研磨颗粒。5.根据申请专利范围第1项之浆液,其系包含0.03-0.5重量%之该水溶性阴电性化学品。6.根据申请专利范围第5项之浆液,其系包含0.08-0.5重量%之该水溶性阴电性化学品。7.根据申请专利范围第1项之浆液,其中该阴电性化学品系包括含丙烯酸根、磷酸根、硫酸根、或磺酸根之化合物、聚合物及/或共聚物,或此等化合物、聚合物及/或共聚物之混合物。8.根据申请专利范围第1项之浆液,其中胺基酸系选自胺基乙酸、肌胺酸或丙胺酸。9.根据申请专利范围第1项之浆液,其中羧酸系选自甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、丙二酸、戊二酸、己二酸、柠檬酸、苹果酸、酒石酸或草酸。10.根据申请专利范围第1项之浆液,其进一步包含三唑(triazole)化合物及/或其衍生物。11.根据申请专利范围第1项之浆液,其进一步包含氧化剂。12.根据申请专利范围第1至11项中任一项之浆液,其系用于研磨半导体晶圆表面之方法中,其中系将该浆液施用于该晶圆表面上,以抑制金属线路凹陷之产生。图式简单说明:图1代表本发明实例所述研磨浆液于不同下压力下对铜之研磨速率所作成之函数图。 |
