| 主权项 |
1.一种连接器,包括绝缘体及以该绝缘体来固定之至少一接点,其特征为又包含高频电流抑制器,用于使得流经该至少一接点及具有频率范围在数十MHz及数个GHz间频带之高频电流衰减。2.如申请专利范围第1项之连接器,其中该高频电流抑制器沈积在该绝缘体上,当该连接器连接到接合连接器时使得该至少一接点被遮蔽。3.如申请专利范围第1项之连接器,其中该高频电流抑制器沈积在该至少一接点之上,使得该至少一接点被遮蔽。4.如申请专利范围第1项之连接器,其中该高频电流抑制器间置在该绝缘体及该至少一接点间,使得该至少一接点被遮蔽。5.如申请专利范围第2至4项中任一项之连接器,其中该高频电流抑制器是以溅镀来制造。6.如申请专利范围第2至4项中任一项之连接器,其中该高频电流抑制器是以蒸气沈积来制造。7.如申请专利范围第1项之连接器,其中该高频电流抑制器预先沈积在用于制造该至少一接点之金属板材料上。8.如申请专利范围第1项之连接器,其中该高频电流抑制器在以切割金属板材料来使用于制造该至少一接点之后,沈积在该至少一接点的表面上。9.如申请专利范围第1或8项之连接器,其中该连接器是一插座连接器,其中该至少一接点具有插座型式。10.如申请专利范围第1或8项之连接器,其中该连接器是一插脚连接器,其中该至少一接点具有插脚型式。11.如申请专利范围第1项之连接器,其中该高频电流抑制器具有厚度在0.3m及20m之间。12.如申请专利范围第1或11项之连接器,其中该高频电流抑制器是一薄膜磁性物质。13.如申请专利范围第1项之连接器,其中该高频电流抑制器在频率范围低于数十MHz内显现导电性。14.如申请专利范围第1项之连接器,其中该高频电流抑制器是包含M,X及Y之磁性合成物的磁性物质来制成,其中M是由Fe,CO,及/或Ni所构成之金属磁性材料,X是不同于M及Y之元素或多种元素,及Y是F,N及/或O;该M-X-Y磁性合成物具有M在合成物中之浓度,使得该M-X-Y磁性合成物具有饱合磁化强度在35-80%,其中磁性材料之金属块单独含M,该磁性合成物在频率范围0.1-10十亿赫(GHz)内具有相对磁导率虚数部"之最大値"max。15.如申请专利范围第14项之连接器,其中该磁性物质具有饱合磁化强度在80%及60%之间,其中金属磁性材料单独包含M。16.如申请专利范围第14或15项之连接器,其中该磁性物质具有DC(直流)电阻在100cm及700cm之间。17.如申请专利范围第14项之连接器,其具有相对带宽之磁导频率响应,其中相对频宽bwr是150%或更大,所决定该相对频宽bwr做为表示相对磁导性虚数部为最大値"max之半値"50对该带宽之中心频率的两频率点间带宽百分比。18.如申请专利范围第17项之连接器,其中该磁性物质具有饱合磁化强度在60%及35%之间的金属磁性材,而此金属磁性材料单独包含M。19.如申请专利范围第17或18项之连接器,其中该磁性物质具有DC电阻大小于500cm。20.如申请专利范围第14项之连接器,其中该磁性物质之成份是选择自C,B,Si,Al,Mg,Ti,Zn,Hf,Sr,Nb,Ta及稀土元素中之至少一种。21.如申请专利范围第14或20项之连接器,其中该磁性物质之成分M呈现晶粒结构,其中成分M之微粒或晶粒以成分X及Y混合物之矩阵来散置。22.如申请专利范围第21项之连接器,其中该磁性物质形成为该晶粒构造之微粒具有平均微粒大小在1nm及40nm之间。23.如申请专利范围第14项之连接器,其中该磁性物质具有47400A/m或更小之各向异性磁场。24.如申请专利范围第14项之连接器,其中该M-X-Y合成物是Fe-Al-O合成物。25.如申请专利范围第14项之连接器,其中该M-X-Y合成物是Fe-Si-O合成物。图式简单说明:第1A图是根据本发明一实施例在插脚连接器及插座连接器连接前之未连接状态中高频电流抑制型式连接器的横剖面图;第1B图是在插脚连接器及插座连接器连接后之连接状态中第1A图所示连接器的横剖面图;第2图是M-X-Y磁性合成物之粒状结构(granular structure);第3A图表示实例中所使用溅镀装置(sputteringapparatus)构造之概略横剖面图示;第3B图表示实例中所使用蒸气沈积装置(vapordeposition apparatus)构造之横剖面图;第4图表示实例1中薄膜样品1之磁导率频率响应的图表图;第5图表示实例2中薄膜样品2之磁导率频率响应的图表图;第6图是比较实例1中比较样品1之磁导率频率响应的图表图;第7图用于测试磁性实例之杂讯抑制效用的测试装置概略透示图;第8A图是薄膜样品1传输特性之图表图;第8B图是合成磁性材料片中比较样品之传输特性的图表图;第9A图表示磁性材料做为杂讯抑制器之具有l长度的分布常数电路;第9B图是具有第9A图分布常数电路之单位长度l的电效电路;第9C图是具有第9A图分布常数电路之长度l的等效电路;第10A图是实例1中薄膜样品1之等效电阻R的频率响应图表图示;及第10B图是合成磁性材料片中比较样品之等效电阻R的频率响应图表图示。 |
