| 主权项 |
1.一种电极结构,适用于一场发射显示器,该电极结构包括:一第一层,包含有铬;以及一第二层,直接设置于该第一层,该第二层包含有镍钒合金。2.如申请专利范围第1项所述之电极结构,其中,该第二层系以覆盖该第一层之顶面与侧面的方式设置于该第一层之上。3.如申请专利范围第1项所述之电极结构,更包括有一第三层,该第三层系直接设置于该第二层,该第三层包含有金。4.一种电极结构,适用于一场发射显示器,该电极结构包括:一第一层,包含有镍钒合金;以及一第二层,直接设置于该第一层,该第二层包含有铬。5.如申请专利范围第4项所述之电极结构,其中,该第二层系至少部分覆盖于该第一层之顶面与复数侧面的方式设置于该第一层之上。6.如申请专利范围第4项所述之电极结构,更包括有一第三层,该第三层系直接设置于该第二层,该第三层包含有金。7.一种场发射显示器,包括有具有一主动区域面之一面板及形成于一背板之一阴极结构,该阴极结构包括:一电极,设置于该背板之上,该电极系具有一顶面及复数侧面;一第一铬层,设置于该电极之上,如此使得该第一铬层直接覆盖于该电极之该顶面之上,并且使得该第一铬层直接覆盖于该电极之该等侧面;一阻层,形成该第一铬层之上,该阻层系电性连接于该电极;以及复数射极,电性连接于该阻层,对于施加在该电极之电力的应用系将电流以选择性方式通过该阻层,并且将电流以选择性方式通过该等射极以产生电子,藉由该等电子撞击于该面板之该主动区域以产生一可见画面。8.如申请专利范围第7项所述之场发射显示器,其中,该第一铬层层更包括有铬及二氧化矽。9.如申请专利范围第7项所述之场发射显示器,其中,该第一铬层层更包括有金属铬。10.如申请专利范围第7项所述之场发射显示器,更包括有一第二铬层,该第二铬层系设置于该电极之下。11.一种用于在一场发射显示器之一背板上形成一电极结构之方法,包括以下步骤:a)沉积一第一铬层于一背板之上;b)形成一电极,将该电极直接设置于该第一铬层之上;c)沉积一第二铬层于该电极之上;d)蚀刻该第一、二铬层以形成一铬层结构以保护该电极,该铬层结构系包覆于该电极之顶面、底面及侧面。12.如申请专利范围第11项所述之形成一电极结构之方法,其中,该第一铬层层更包括有铬及二氧化矽。13.如申请专利范围第11项所述之形成一电极结构之方法,其中,该第一铬层层更包括有金属铬。14.一种防止电极氧化之方法,该方法系应用在对于一场发射显示器之一阴极结构中之一电极进行一氧电浆处理步骤,包括以下步骤:a)减少该氧电浆处理步骤与其后处理步骤之间的阶段时间;b)于该阶段时间内将该阴极结构储存于一氮气环境;以及c)在该氧电浆处理步骤之后立即将该阴极结构放置于硝酸。15.一种应用于一场发射显示器以形成一电极结构之方法,包括以下步骤:a)沉积一第一阻层于一基底;b)沉积一金属层于该第一阻层;c)直接沉积一第二阻层于该第一阻层;以及d)进行罩幕步骤、蚀刻步骤以形成一电极结构。16.如申请专利范围第15项所述之形成一电极结构之方法,其中,该步骤d)系于该步骤c)之后进行。17.如申请专利范围第15项所述之形成一电极结构之方法,其中,该步骤d)系于该步骤c)之前进行,如此使得该第二阻层设置于该电极之该顶面、该等侧面之上。18.如申请专利范围第15项所述之形成一电极结构之方法,其中,该第一、二阻层包括有碳化矽。19.如申请专利范围第15项所述之形成一电极结构之方法,其中,该第一、二阻层包括有二氧化矽。20.如申请专利范围第15项所述之形成一电极结构之方法,其中,该第一、二阻层包括有氮氧化矽。21.如申请专利范围第15项所述之形成一电极结构之方法,其中,该第一、二阻层包括有金属瓷料。22.一种电极结构,适用于一场发射显示器,该电极结构包括:一第一层,包含有金属;以及一第二层,直接设置于该第一层,该第二层包括有保护层。23.如申请专利范围第22项所述之电极结构,其中,该第一层包含有铝。24.如申请专利范围第23项所述之电极结构,其中,该第二层系选自于钽、钼、钨、钛、镍、铌及铬中之一种。25.如申请专利范围第22项所述之电极结构,其中,该第二层系包含有一铝钕合金。26.如申请专利范围第22项所述之电极结构,其中,该第二层系包含有一钼钨合金。27.如申请专利范围第22项所述之电极结构,更包括有一第三层,该第三层系直接设置于该第二层之上。28.如申请专利范围第27项所述之电极结构,其中,该第三层包含有金。29.如申请专利范围第28项所述之电极结构,其中,该第一层包含有铬,并且该第二层包含有一镍钒合金。图式简单说明:第1A图系藉由一侧剖面图说明本发明于一玻璃板上进行一铝层之沉积步骤。第1B图系表示根据一侧剖面图说明本发明对于一铝条(strips)进行蚀刻。第1C图系藉由一侧剖面图说明本发明于一覆盖材料之沉积。第1D图系藉由一侧剖面图说明第1C图中之结构于完成罩幕(masking)后之结构。第1E图系藉由一上视图说明根据本发明之射极电极金属板(emitter electrode metal strips)。第1F图系藉由一侧剖面图说明本发明于一阻层之沉积。第1G图系藉由一侧剖面图说明本发明于一介电层(dielectric layer)之沉积。第1H图系藉由一侧剖面图说明本发明于一金属层(metal layer)之沉积。第1I图系藉由一侧剖面图说明第1H图中之结构于完成罩幕(mask)、蚀刻(etch),及射极成型步骤(emitterformation steps)后之结构。第1J图系藉由一上视图说明根据本发明之一完整阴极结构(cathodic structure)。第1K图系藉由一侧剖面图说明本发明之较佳实施例中之侧壁轮廓(sidewall profile)。第2图系用以说明本发明场发射显示器(field emissiondisplay)之形成方法之图式。第3图系藉由一剖面图说明本发明场发射显示器之形成方法。第4图系用以说明本发明场发射显示器之形成步骤。第5A图系表示本发明之场发射显示器之电极结构。第5B图系表示本发明之场发射显示器之电极结构。第6A图系用以说明本发明场发射显示器之形成步骤。第6B图系表示本发明之场发射显示器之电极结构。第7图系表示本发明之具有三层电极结构(three-layerelectrode structure)之场发射显示器。第7B图表示本发明之具有三层电极结构之场发射显示器。第8A图系表示根据本发明之具有三层电极结构之场发射显示器。第8B图系表示根据本发明之具有三层电极结构之场发射显示器。第9图系用以说明在本发明场发射显示器中用以防止电极结构产生氧化之方法。第10图系用以说明本发明场发射显示器用之一电极结构之形成方法。第11A图系用以说明根据第10图中之方法形成一电极结构。第11B图系用以说明本发明之具有一单一阻层(resistor layer)之一电极结构。第12图系用以说明本发明场发射显示器用之一电极结构之形成方法。第13图系用以说明根据第12图中之方法形成一电极结构。第14图系用以说明本发明场发射显示器用之一电极结构之形成方法。第15图系用以说明根据第14图中之方法形成一电极结构。 |
