| 主权项 |
1.一种半导体装置制造系统,包括:制造生产线(20),其由预定制造装置提供在其中的格状安排而制造具有复数半导体晶片的晶圆(100);晶圆测试机(22),其对于该等半导体晶片测试其电气特性;位置资讯写入装置(25),其写入晶片在该晶圆上位置的每一半导体晶片资讯;晶圆测试资讯储存装置(23),其储存从该晶圆测试机输出的第一测试结果以及关联于该第一测试结果的在该晶圆上的该晶片位置资讯;包装装配装置(26),其分割该晶圆成为相对应半导体晶片而产生各自密封于包装中的半导体装置;产品测试机(27),其对于电气特性测试每一半导体装置;晶片位置侦测装置(31),其在该半导体装置已经密封于包装中之后,侦测该半导体装置在该晶圆上的位置资讯;产品测试资讯储存装置(28),其储存从该产品测试机输出的第二测试结果以及由该晶片位置侦测装置所侦测并且关联于该第二测试结果的在该晶圆上的该晶片位置资讯;以及故障分布映射装置(32),根据该第一测试结果、该第二测试结果与该晶圆位置资讯,其藉由结合该晶圆测试机决定为有缺点的那些晶片的位置资讯与该产品测试机决定为有缺点的那些晶片的位置资讯而映射对应至晶圆的该故障分布;其中根据该故障分布而决定故障的起因。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置制造系统,其中该半导体晶片是具有冗余电路的半导体记忆体,该位置资讯写入装置是用于烧断冗余位址熔线(F101至F108)的整修装置(3)。3.一种半导体装置制造系统,包括:制造生产线(20),其由预定制造装置提供在其中的格状安排而制造具有复数半导体记忆体的晶圆(100);晶圆测试机(1,22),其对于该等半导体记忆体测试其电气特性;整修装置(3),其对于每一半导体记忆体的冗余记忆体决定冗余位址以及烧断对应至该冗余位址的熔线;晶圆测试资讯储存装置(4,23),其储存该冗余位址以及关联于该冗余位址的在该晶圆上的位置资讯,包装装配装置(26),其分割该晶圆成为相对应半导体记忆体而产生各自密封于包装中的半导体记忆体;产品测试机(27,41,43),其在分割之后对于每一半导体记忆体测试其电气特性以及读取取代位址;位置预估装置(42),其藉由比较该读取取代位址与该冗余位址而预估位置资讯;产品测试资讯储存装置(28),其储存从该产品测试机输出的第二测试结果以及由该位置预估装置所侦测并且关联于该第二测试结果的该位置资讯;以及故障分布映射装置(32),其藉由结合该第二测试结果与该位置资讯而映射该故障分布;其中根据该故障分布而决定故障的起因。4.一种半导体装置制造系统,包括:制造生产线(20),其由预定制造装置提供在其中的格状安排而制造具有复数半导体记忆体的晶圆;晶圆测试机(22),其对于该等半导体记忆体测试其电气特性;整修装置(3),其对于每一半导体记忆体的冗余记忆体决定取代位址以及烧断对应至该取代位址的熔线;位置资讯储存装置(4),其储存该取代位址以及关联于该取代位址的在该晶圆上的位置资讯;包装装配装置(26),其分割该晶圆成为相对应半导体记忆体而产生各自密封于包装中的半导体记忆体;产品测试机(27,41,43),其在分割之后对于每一半导体记忆体测试其电气特性以及读取取代位址;位置预估装置(42),其藉由比较该读取取代位址与储存于该位置资讯储存装置中的该取代位址而预估位置资讯;产品测试资讯储存装置(28),其储存从该晶圆测试机输出的第一测试结果、从该产品测试机输出的第二测试结果以及由该位置预估装置所预估并且关联于其他一者的在该晶圆上的该位置资讯,以及故障分布映射装置(32),根据该第一测试结果、该第二测试结果与该晶圆位置资讯,其藉由结合该晶圆测试机决定为有缺点的那些半导体记忆体的位置资讯与该产品测试机决定为有缺点的那些半导体记忆体的位置资讯而映射该故障分布;其中根据该故障分布而决定故障的起因。5.一种半导体装置制造系统,根据已制造半导体装置的测试结果用于预估故障起因位置,包括:位置资讯读取装置(31,41),其电子式地读取晶片资料,晶片资料是先前在此半导体装置已经被密封于包装之后写入于该半导体装置的预定电路中;位置资讯取得装置(31,42),其根据该晶片资料设法取得该半导体装置在晶圆制程中的批次编号,晶圆在该批次中的晶圆编号以及在该晶圆上的位置资讯;以及故障起因决定装置(32,34),其藉由结合分割之前与之后的各自测试结果成为故障的单一分布而决定故障的起因。6.如申请专利范围第5项所述之半导体装置制造系统,其中该故障起因决定装置根据在半导体装置密封于包装之后的测试中被决定为有缺点的该半导体装置的该位置资讯而决定在晶圆制程中的故障起因。7.如申请专利范围第5项所述之半导体装置制造系统,其中该位置资讯是用于取代有缺点记忆体单元的取代位址,该系统进一步地包括参考表格映射装置(42),其产生显示在测试中该位置资讯与该取代位址之间关系用以决定在晶圆状态的半导体装置是有缺点或者无瑕疵,该位置资讯取得装置根据从该密封半导体装置读取所得位址资讯的该参考表格而在密封成为包装之后取得该半导体装置的位置资讯。8.如申请专利范围第5项所述之半导体装置制造系统,进一步地包括:储存电路(5);资料写入装置(2),当用于决定在晶圆状态的半导体装置是有缺点或者无瑕疵的测试期间,资料写入装置(2)储存整修资料于该储存电路中;资料读取装置(42),其从该储存电路读取该整修资料;以及参考表格映射装置(42),其映射显示该位置资讯与该整修资料之间关系的参考表格;其中根据从该半导体装置读取的整修资料,该位置资讯取得装置从该参考表格取得该半导体装置对应至此整修资料的位置资讯。9.一种半导体装置制造系统,包括:包装装配装置(26),将提供于其中之一具有复数半导体晶片之晶圆(100)分割成各别之复数半导体晶片,用以制作产生各自密封于包装中的半导体装置,该等半导体晶片系构成一格状安排;以及,将该晶圆上之晶片位置资讯写入每一该等半导体晶片;产品测试机(27),其对于电气特性测试每一半导体装置;晶片位置侦测装置(31),其在该半导体装置已经密封于包装中之后,侦测该半导体装置在该晶圆上的位置资讯;产品测试资讯储存装置(28),其储存从该产品测试机输出的一测试结果以及由该晶片位置侦测装置所侦测并且关联于该测试结果的在该晶圆上的该晶片位置资讯;以及故障分布映射装置(32),根据该第一测试结果、该第二测试结果与该晶圆位置资讯,其藉由结合该晶圆测试机决定为有缺点的那些晶片的位置资讯与该产品测试机决定为有缺点的那些晶片的位置资讯而映射对应至晶圆的该故障分布;其中根据该故障分布而决定故障的起因。10.一种故障分析装置,包括:晶片位置分析装置(42),其预估晶片在晶圆上的位置;故障分布映射装置(32),其映射已经变成为有缺点的半导体晶片的分布;以及故障起因决定装置(34),其从该分布决定故障的起因。11.如申请专利范围第10项所述之故障分析装置,其中该晶片位置分析装置根据半导体记忆体的取代位址而预估在该晶圆上的该位置。12.一种半导体装置之制造方法,包括下列步骤:预估这些半导体记忆体晶片在该晶圆上的位置资讯的步骤,其根据用于以位址储存于晶圆已经分割的复数半导体记忆体晶片的每一者的冗余电路所取代的取代位址。13.如申请专利范围第12项所述之半导体装置之制造方法,其中已经由半导体测试机决定为有缺点的该等半导体记忆体晶片在该晶圆上的分布根据该位置资讯而被决定。14.如申请专利范围第13项所述之半导体装置之制造方法,其中在制造生产线中导致半导体记忆体晶片故障的制造装置从该分布而被确认。15.一种半导体装置之制造方法,包括下列步骤:晶圆步骤(SA1),其经由复数制程步骤形成半导体装置于晶圆中;晶圆测试步骤(SA2),其在晶圆状态中测试该等半导体装置;装配步骤(SA3,SA5),其切割该晶圆成为该等半导体装置的晶片以及只有各自地密封该等晶片中已经通过该测试者成为包装;配件测试步骤(SA6),其测试在包装状态中的该等晶片以及选择无瑕疵晶片;晶片资料读取步骤(SA7,SA21),其电子式地读取晶片资料,晶片资料是先前储存于在配件测试步骤中以经决定为有缺点的那些半导体装置的每一者的预定电路中;以及位置资讯取得步骤(SA24),根据该晶片资料,其设法取得包括该有关半导体装置在该晶圆步骤中的批次编号、该有关晶圆在此批次中的晶圆编号以及该有关晶片在此晶圆中的座标之位置资讯。16.如申请专利范围第15项所述之半导体装置之制造方法,进一步地包括侦测步骤(SA25),从该晶圆编号与晶片座标,其用以确认导致故障的制程步骤,其中对于每一批次的制程步骤的处理日期时间从该批次编号而被侦测,以及用于该晶圆步骤的每一制程步骤中制程品质的控制被完成。图式简单说明:第1图系显示依照本发明第一实施例所提供的半导体装置制造系统结构的方块图;第2图系显示根据本发明第一实施例的半导体装置制造系统的运作流程图;第3图系显示第1图中晶圆制造生产线20的特定结构的概略图解;第4图系显示第1图中制造历史资讯档案21结构的较佳实施例的图解;第5图系显示第1图中晶圆测试资讯档案23结构的较佳实施例的图解;第6A图系显示根据第一实施例的半导体装置制造系统中形成于晶圆中晶片资讯记忆体电路的第一结构的概略图解;第6B图系显示根据第一实施例的半导体装置制造系统中形成于晶圆中晶片资讯记忆体电路的第二结构的概略图解;第7图系显示第1图中配件测试资讯档案28结构的较佳实施例的图解;第8图系显示第2图中故障分布映射步骤SA24与故障起因决定步骤SA25的详细流程图;第9图系显示储存于第1图故障分布资料库35中有缺点晶片的一些故障图样的图解;第10图系显示储存于第1图故障分布资料库35中有缺点晶片的一些故障图样的图解;第11图系显示根据本发明第二实施例的半导体装置制造系统结构的较佳实施例的方块图;第12图系显示用于熔线位址的格式的图解,其标示藉由根据本发明的取代位址决定装置2所烧断熔线的位置;第13图系显示熔线电路结构的较佳实施例的概略图解,藉由熔线电路设定一冗余字组线的位址;第14图系显示表格格式档案的结构的图解,在其中熔线开始编号是描述为冗余字组线的次序;第15图系显示取代位址决定装置2输出的中间档案的结构的图解;第16图系显示用于取代位址决定装置2输出的冗余位址表格的格式的图解;第17图系显示用于冗余的记忆体单元与记忆体单元阵列的结构的概略图解;第18图系显示第1图的LSI测试机中冗余位址的取得的流程图;第19图系显示取代位址读取装置41输出的取代位址资讯档案43的结构的图解;第20图系显示配件测试机27输出的配件测试资讯档案28的结构的图解;第21图系显示故障分布映射装置32输出不合格晶片分布表格的结构的图解;第22图系显示在晶圆制程之后从半导体装置的晶片的熔线位址用以产生对应至每一晶片的批次编号、晶圆编号与晶片编号的冗余位址过程的流程图;第23图系显示在相关技术中用于故障分析的步骤的概略图解;第24图系显示在相关技术中用于故障分析的另一步骤的概略图解;第25图系显示已经决定为有缺点的半导体装置位置被显示于晶圆表面中的概略图解;第26图系以侧面正视图在船形容器(用以支撑复数晶圆的容器)中的晶圆位置的概略图解;以及第27图系显示已经决定为有缺点的半导体装置位置被标示于晶圆表面中的概略图解。 |
