| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법에 있어서, 레지스트 플로우 공정과 전자 빔의 주사 과정을 함께 사용함으로써, 보다 정밀한 패턴의 콘택홀을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 콘택홀 형성 방법은 식각할 피식각층 상부에 일정 형태의 감광막패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막을 플로우시키는 제 1 차 레지스트 플로우 단계와, 상기 전면 상에 전자 빔을 주사하여 감광막의 내부를 결합시키는 단계와, 전자 빔에 의해 내부 결합이 형성된 감광막을 플로우 시키는 제 2 차 레지스트 플로우 단계와, 상기에서 형성된 감광막 패턴을 이용하여 콘택홀을 형성하는 단계를 포함한다.</p> |
