| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체장치의 콘택 형성방법에 관한 것으로서, 특히, 게이트의 캡핑용 절연막과 측벽 스페이서 절연막을 식각선택비가 큰 물질로 형성하여 비트라인과 스토리지노드 플러그 콘택홀 형성시 자기정렬된 콘택부를 형성하여 게이트 캡절연막의 과도식각을 방지하여 게이트와 플러그의 단락가능성을 제거하고, 또한, 코아/페리부의 게이트를 노출시키기 위한 콘택홀과 셀부의 비트라인 플러그를 노출시키는 개구부를 자기정렬방식으로 동시에 형성하므로서 추가장비없이 공정을 단순화하고 칩싸이즈를 감소시키며 공정마진을 증가시키도록 한 반도체장치의 자기정렬 콘택부 형성방법에 관한 것으로서, 소자 활성영역과 격리영역이 정의된 반도체기판상에 제 2 절연막으로 이루어진 캡절연막, 제 1 도전층으로 이루어진 게이트, 제 1 절연막으로 이루어진 게이트절연막으로 이루어진 게이트패턴을 형성하는 단계와, 상기 게이트패턴 측면하단의 상기 활성영역에 저농도 불순물 확산영역을 형성하는 단계와, 상기 게이트패턴을 포함하는 상기 반도체기판상에 상기 제 2 절연막과 식각선택비가 큰 제 3 절연막을 소정 두께로 형성하는 단계와, 상기 제 3 절연막을 이용하여 상기 반도체기판의 활성영역에 고농도 불순물 확산영역을 형성하는 단계와, 상기 제 3 절연막상에 제 1 층간절연층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 층간절연층의 소정 부위를 제거하여 상기 불순물 확산영역 상부의 상기 제 3 절연막을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀의 노출된 상기 제 3 절연막을 제거하여 상기 불순물 확산영역의 일부를 노출시키는 단계와, 노출된 상기 불순물 확산영역과접촉하도록 상기 콘택홀에 도전성 플러그를 형성하는 단계와, 상기 플러그를 덮도록 상기 제 1 층간절연층상에 제 2 층간절연층을 형성하는 단계와, 상기 제 2 층간절연층의 소정부위를 제거하여 상기 플러그의 표면을 노출시키는 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
