发明名称 功率半导体组件及其制造方法
摘要 给出一种功率半导体组件,其中至少有一个半导体芯片,它设置在一基片上并与一接触压件相接触。接触压件的位置可相应于从半导体芯片到接收接触压件的主端子的距离可单独地调节。接触压件或是借助弹簧施压或是借助焊料层固定。
申请公布号 CN1089493C 申请公布日期 2002.08.21
申请号 CN96109993.3 申请日期 1996.08.16
申请人 ABB研究有限公司 发明人 K·发勒;T·弗雷;H·凯泽;F·施坦卢克;R·泽林格
分类号 H01L25/07 主分类号 H01L25/07
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 王勇;萧掬昌
主权项 1.功率半导体组件(1),具有至少一个半导体芯片(2),这个或这些芯片至少各具有两个电极,即第一主电极(4)及第二主电极(3),及这个或这些半导体芯片(2)的第一主电极(4)接触在一个基片(5)上,并具有与相应第一及第二主电极(4和3)形成电连接的第一和第二主端子(6和7),其中第一主端子(6)与基片(5)相互电连接及第二主端子(7)至少设有一个接触压件(8),这个或这些接触压件与这个或每个半导体芯片(2)的第二主电极(3)相互电连接,其特征在于:这个或每个接触压件(8)的位置相应于从这个或每个半导体芯片(2)到第二主端子(7)的距离是可调节的,及设有用于固定这个或每个接触压件(8)位置的部件(9、10;17、18)。
地址 瑞士苏黎世