发明名称 一种选域金刚石膜的制备方法
摘要 本发明涉及制备金刚石薄膜的方法,在选域衬底的导电图形上生成籽晶衬底实现金刚石膜精确定域沉积;对籽晶衬底继续生长制备不同特性的金刚石膜。金刚石膜与衬底附着牢固;例如:制备金刚石场发射冷阴极,将电子发射区域有效地控制在所选择区域,集中密集发射。特别是在微尖(台)顶部预沉积籽晶并生长金刚石的冷阴极,可较好的利用场增强效应,避免发射点过于分散,有利于提高微尖处的电流发射密度,改善发射均匀性。本发明可应用于平板显示器、真空微电子器件等领域。
申请公布号 CN1364945A 申请公布日期 2002.08.21
申请号 CN01124619.7 申请日期 2001.07.25
申请人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明人 赵海峰;宋航;李志明;金亿鑫;邴秀华
分类号 C23C16/04;C23C16/27 主分类号 C23C16/04
代理机构 长春科宇专利代理有限责任公司 代理人 梁爱荣
主权项 1、一种选域金刚石膜的制备方法其特征在于:(1)首先根据应用需要制备选域衬底:在衬底所选区域制备导电图形;(2)将适量籽晶微粒加到电泳悬浮液中,超声处理或充分搅拌后,将籽晶微粒导电图形自对准定位地预沉积到衬底选域上,即在选域衬底的导电图形上生成籽晶而成为籽晶衬底;(3)再利用化学气相沉积或激光沉积或外延对上述籽晶衬底继续生长,同时改变工作气体的成分或比例及生长温度和压强条件制备不同特性的金刚石膜。
地址 130022吉林省长春市人民大街140号
您可能感兴趣的专利