| 摘要 |
<p>본 발명은 누설전류를 최소화함과 더불어 순방향 전압의 동작범위를 증가시킬 수 있는 초고주파 반도체 소자 및 그의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 초고주파 반도체 소자는 GaAs 반절연기판과, 상기 기판 상에 형성된 도핑되지 않은 GaAs 버퍼층과, 상기 버퍼층 상에 형성된 N형 GaAs층 또는 도핑되지 않은-GaAs/AlGaAs 초격자층, 도핑되지 않은 InGaAs 채널층, 도핑되지 않은 AlGaAs층 및 N형 AlGaAs층이 순차 적층된 구조의 액티브층과, 상기 액티브층 상에 형성된 게이트와, 상기 게이트 양측의 액티브층 부분 상에 상기 게이트와 소정 간격 이격해서 각각 형성된 NGaAs 소오스 및 드레인 영역과, 상기 게이트와 액티브층 사이에 개재되면서 상기 소오스 영역 및 드레인 영역의 각 측면과 오버랩하도록 형성된 유전체박막을 포함한다.</p> |
