| 发明名称 | 阴极构件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明之目的在于，将电子发射物质的涂布密度提高约2倍以上。为达此目的，采用在气体金属上表面上，在形成电子发射体时，多次交替地涂布电子发射物质和活性化金属的方法，作成多段积层式以构成电子发射体。在其内插设有阴极加热用的灯丝(104)的圆筒形阴极附属件(103)上段，设置为提供电子发射体(107)的气体金属(102)，在上述气体金属(102)上表面上设置多段涂布活性化金属(105)和电子放射物质的电子发射体(107)。 | ||
| 申请公布号 | CN1089478C | 申请公布日期 | 2002.08.21 |
| 申请号 | CN96120538.5 | 申请日期 | 1996.12.10 |
| 申请人 | LG电子株式会社 | 发明人 | 李庆相 |
| 分类号 | H01J1/20;H01J9/02 | 主分类号 | H01J1/20 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦 |
| 主权项 | 1.一种阴极构件，包括一个阴极附属件(103)和设置在所述阴极附属件内用于加热的灯丝(104)，一金属层(102)涂覆在所述阴极附属件(103)的外表面，以及一电子发射体(107)形成在金属层上表面之上，其特征在于所述电子发射体(107)由多层构成，该多层由电子发射物质层(106)和活性化金属层(105)交替层叠而成。 | ||
| 地址 | 韩国汉城市 | ||