| 发明名称 | 中低温烧结半导体陶瓷及其液相制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种中低温烧结半导体陶瓷,该半导体陶瓷的一般式为:(Sr<SUB>1－x</SUB>Pb<SUB>x</SUB>)Ti<SUB>y</SUB>O<SUB>3</SUB>,其中x=0.1～0.9,y=0.8～1.2,配方主成分中含有Sr,Pb,Ti等金属元素,其总含量在85%～99.9%之间,半导化元素含量在0.01～3mol%之间,添加剂含量为0.1～12mol%之间。其液相制备工艺包括配料,共沉淀、洗涤、分散、烘干、煅烧和烧结等。由于采用新型配料、新的合成手段和化学处理方法,材料的烧结温度较BaTiO<SUB>3</SUB>体系大大降低。制备的陶瓷具有典型的PTC特性,并且样品室温电阻率低,升阻比高,耐压强度大。 | ||
| 申请公布号 | CN1364744A | 申请公布日期 | 2002.08.21 |
| 申请号 | CN01144623.4 | 申请日期 | 1996.06.21 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 李龙土;王德君;桂治轮 |
| 分类号 | C04B35/462;C04B35/47;C04B35/472;C04B35/622;C04B35/63 | 主分类号 | C04B35/462 |
| 代理机构 | 北京清亦华专利事务所 | 代理人 | 罗文群 |
| 主权项 | 1、一种中低温烧结半导体陶瓷，其特征在于该陶瓷的一般式为： (Sr1-xPbx)TiyO3 其中x＝0.1～0.9；y＝0.8～1.2 | ||
| 地址 | 100084北京市海淀区清华大学 | ||