| 摘要 |
<p>본 발명은 금속배선들간의 브릿지(Bridge)가 발생되는 것을 방지하기 위한 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 소자의 금속배선 형성방법은, 반도체 기판 상에 층간절연막을 형성하는 단계; 상기 층간절연막을 국부적으로 식각하여, 상기 반도체 기판의 소정 부분들을 각각 노출시키는 콘택홀들을 형성하는 단계; 상기 층간절연막 상에 이격되어 배치되는 마스크 패턴들을 형성하는 단계; 상기 결과물의 상에 상기 콘택홀들이 완전히 매립될 정도의 충분한 두께로 배선용 금속막을 증착하는 단계; 상기 콘택홀에 매립된 배선용 금속막의 상면까지, 마스크 패턴 상부에 증착된 배선용 금속막과 상기 마스크 패턴을 연마하는 단계; 및 잔류된 마스크 패턴을 스트립하는 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
