| 摘要 |
<p>본 발명은 웨이퍼 레벨 패키지 및 그의 제조 방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 복수개의 반도체 칩이 구성된 웨이퍼 표면에 하부 절연층을 코팅한다. 하부 절연층을 식각하여, 반도체 칩의 본딩 패드를 노출시킨다. 전체 결과물상에 금속층을 증착한 후 이를 패터닝하여, 일단이 노출된 본딩 패드에 연결된 금속 패턴을 형성한다. 전체 결과물상에 상부 절연층을 코팅한 다음, 상부 절연층을 식각하여 금속 패턴의 타단을 노출시킨다. 노출된 금속 패턴의 타단에 하부 솔더 볼을 마운트한다. 전체 결과물 상부를 최소한 하부 솔더 볼보다 높은 높이로 봉지제로 트랜스퍼 몰딩한다. 봉지제 표면을 연마하면서 하부 솔더 볼도 같이 연마하여, 하부 솔더 볼의 연마면이 봉지제 표면으로부터 노출되도록 한다. 노출된 하부 솔더 볼의 연마면에 상부 솔더 볼을 마운트하는데, 이 상부 솔더 볼로는 하부 솔더 볼보다 융점이 낮은 재질을 사용하는 것이 바람직하다. 그런 다음, 스크라이브 라인을 따라 웨이퍼를 절단하여 개개의 반도체 칩으로 분리한다.</p> |
