发明名称 | 发光二极管 | ||
摘要 | 一种发光二极管的结构主要包括一基板,基板的一面上具有一布拉格反射镜层、一n型掺杂局限层、一活性层、一p型掺杂局限层、一电流分散层、一网状结构的欧姆接触层、一透光导电氧化物层与一正面电极,而基板的另一面上则具有一背面电极。藉由网状结构将欧姆接触层吸收光的面积减低,以有效避免活性层所发出的光被欧姆接触层大量的吸收,进而使发光二极管具有高亮度。 | ||
申请公布号 | CN1365153A | 申请公布日期 | 2002.08.21 |
申请号 | CN01101619.1 | 申请日期 | 2001.01.12 |
申请人 | 联铨科技股份有限公司 | 发明人 | 陈锡铭;李玟良;陈宏任;汪信全 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
主权项 | 1.一种发光二极管,至少包括:一基板,该基板的一面上具有一布拉格反射镜层,且该基板的另一面上具有一背面电极;一第一型掺杂局限层,该第一型掺杂局限层位于该布拉格反射镜层上;一活性层,该活性层位于该第一型局限层上;一第二型掺杂局限层,该第二型掺杂局限层位于该活性层上;一电流分散层,该电流分散层位于该第二型掺杂局限层上;一网状结构的欧姆接触层,该网状结构的欧姆接触层位于该电流分散层上;一透光导电氧化物层,该透光导电氧化物层位于该网状结构的欧姆接触层上;以及一正面电极,该正面电极位于该透光导电氧化物层上。 | ||
地址 | 台湾省台南科学工业园区 |