发明名称 半导体激光器光、电特性综合测量方法
摘要 本发明涉及一种对半导体激光器光-电特性测试装置及方法的改进。为了解决上述技术结构相对复杂,测量时间长等问题,本发明使取样电阻与待测半导体激光器并联,待测半导体激光器的激光准直平行后经过分光,分别进入到光二极管和探测器其光强信号及光谱信号进入计算机,经过程序处理后即测量得到所需的半导体激光器各参数,则完成半导体激光器光、电特性的综合测量。如串联电阻、微分电阻、阈值电流、阈值电流密度、功率效率、外量子效率、激光光谱、激光器近场分布、远场分布等。提供了一种结构紧凑、测试方法简单,可以满足对半导体激光器特性快速分析要求的光-电特性参数结合起来同时进行测量的方法。
申请公布号 CN1365005A 申请公布日期 2002.08.21
申请号 CN01124618.9 申请日期 2001.07.25
申请人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明人 宁永强;刘云;王立军;朱万彬;李丽娜;刘星元
分类号 G01R31/26;G01N21/84;H01L33/00 主分类号 G01R31/26
代理机构 长春科宇专利代理有限责任公司 代理人 梁爱荣
主权项 1、半导体激光器光、电特性综合测量方法,首先利用激光器电源产生的驱动电流通过计算机进行控制后产生步进脉冲加到待测半导体激光器的两端,使待测半导体激光器发射出激光,取样电阻与待测半导体激光器并联,测量并联两端的电压可以得到加在待测半导体激光器两端的电压,其特征在于:再利用待测半导体激光器发射出的激光经准直平行后分光,一部分进入到光二极管中,另一部分会聚进入到探测器,光二极管中的光强信号及探测器的光谱分布信号经放大后进入到计算机中,经过程序处理后即测量得到所需的半导体激光器各参数,则完成半导体激光器光、电特性的综合测量。
地址 130022吉林省长春市人民大街140号
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