| 发明名称 |
GAS-PHASE ADDITIVES FOR AN ENHANCEMENT OF LATERAL ETCH COMPONENT DURING HIGH DENSITY PLASMA FILM DEPOSITION TO IMPROVE FILM GAP-FILL CAPABILITY |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
SG90741(A1) |
申请公布日期 |
2002.08.20 |
| 申请号 |
SG20000004471 |
申请日期 |
2000.08.15 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD |
发明人 |
VLADISLAV VASSILIEV;JOHN LEONARD SUDIJONO;YELEHANKA RAMACHANDRAMURTHY PRADEEP;JIE YU |
| 分类号 |
C23C16/04;C23C16/40;H01L21/316;(IPC1-7):H01L21/316 |
主分类号 |
C23C16/04 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
