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Dispositif photovoltaïque qui comprend : un corps d'arséniure de gallium présentant un type de conductivité, et une couche d'arséniure de gallium d'un type de conductivité opposé à celui dudit corps, formant une jonction PN avec ledit corps d'arséniure de gallium, ce dispositif étant caractérisé en ce qu'il comporte en outre une couche de Inx Gal-x P du même type de conductivité que la couche d'arséniure de gallium et formant une hétérotransition avec la couche d'arséniure de gallium, l'épaisseur de ladite couche de Inx Ga1-x P étant choisie de façon à transmettre des photons ayant une longueur d'onde plus courte que la longueur d'onde de la bande interdite du Inx Gal-x P, et des moyens pour contacter électriquement le corps d'arséniure de gallium et ladite couche, d'Inx Gal-x P.
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