发明名称 Methode zur Herstellung von einem MOSFET mit einem vertikalen Kanal
摘要
申请公布号 DE69806484(D1) 申请公布日期 2002.08.14
申请号 DE19986006484 申请日期 1998.11.17
申请人 STMICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA 发明人 PATTI, DAVIDE;PINTO, ANGELO
分类号 H01L21/336;H01L21/762;H01L21/763;H01L21/8249;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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