一种控制氮化镓(GaN)极性的方法

摘要

一种控制氮化镓(GaN)极性的方法,尤其是在蓝宝石表面生长氮化镓时控制氮化镓(GaN)极性的生长方法,在蓝宝石衬底上生长氮化镓,生长系统的生长温度:低温区,850－900℃,高温区在1050－1100℃范围内;将HCl(源HCl)/氮气载气通入含金属镓管路,在通入HCl/氮气载气的同时,氨气和氮气载气、额外HCl/总氮气也通入系统;三路气体在蓝宝石衬底表面混合,得到氮化镓薄膜。本发明通过将一定量的HCl添加到传统HVPE生长方法中的总氮气流中,引入GaCl和NH₃混合生长区,通过改变蓝宝石衬底表面的化学反应平衡,抑制N面极化GaN的成核,获得了具有平滑表面的Ga极化GaN薄膜。

主权项

1、一种控制氮化镓(GaN)极性的方法，尤其是在蓝宝石表面生长氮化镓时控制氮化镓(GaN)极性的生长方法，在蓝宝石衬底上生长氮化镓，生长系统的生长温度：低温区，850-900℃，高温区在1050-1100℃范围内；其特征是将HCl(源HCL)/氮气载气通入含金属镓管路，通入氨气和氮气载气，在通入HCl/氮气载气的同时，额外HCl/总氮气也通入系统，三路气体在蓝宝石衬底表面混合，得到氮化镓薄膜。