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发明名称 DRAM storage cell with vertical transistor and method for production thereof
摘要
申请公布号 EP0744772(B1) 申请公布日期 2002.08.14
申请号 EP19960107434 申请日期 1996.05.10
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 ROESNER, WOLFGANG, DR.;RISCH, LOTHAR, DR.;HOFMANN, FRANZ, DR.;KRAUTSCHNEIDER, WOLFGANG, DR.
分类号 H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/824 主分类号 H01L21/8242
代理机构 代理人
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