| 发明名称 |
Thin film SOI semiconductor device |
| 摘要 |
<p>Ein laterales Halbleiterbauelement (10) in Dünnfilm-SOI-Technik umfasst eine Isolatorschicht (14), die auf einem Substrat (12) aufliegt und unter einem dünnen Siliziumfilm (16) vergraben ist, auf welchem der Source- bzw. Anoden-Kontakt (18) und der Drain- bzw. Kathoden-Kontakt (22) angebracht sind. Der Anoden-Kontakt (18) und der Kathoden-Kontakt (22) liegen jeweils über getrennten Shield-Gebieten (28,30) innerhalb des Substrats (12), wobei der Anoden-Kontakt (18) mit dem Substrat (12) elektrisch verbunden ist. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP1231645(A2) |
申请公布日期 |
2002.08.14 |
| 申请号 |
EP20010129043 |
申请日期 |
2001.12.07 |
| 申请人 |
EUPEC EUROPAEISCHE GESELLSCHAFT FUER LEISTUNGSHALBLEITER MBH |
发明人 |
PRIEFERT, DIRK;RUDOLF, RALF;BOGUSZEWICZ, VIKTOR;MICHALZIK, FRANK;BUCKHORST, ROLF |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L27/04;H01L27/12;H01L29/73;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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