EMISSIVITY-INDEPENDENT SILICON SURFACE TEMPERATURE MEASUREMENT,申请号IL20020147788-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	EMISSIVITY-INDEPENDENT SILICON SURFACE TEMPERATURE MEASUREMENT
摘要
申请公布号	IL147788(D0)	申请公布日期	2002.08.14
申请号	IL20020147788	申请日期	2002.01.23
申请人	ELECTRO-OPTICS RESEARCH & DEVELOPMENT LTD.	发明人
分类号	H01L;(IPC1-7):H01L	主分类号	H01L
代理机构		代理人
主权项
地址

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