发明名称 |
Spannungsanhebeschaltkreis für einen integrierten Schaltkreis |
摘要 |
Spannungsanhebeschaltkreis für einen intergrierten Schaltkreis, mit einer Anhebeeinheit (110) zum Erzeugen einer Anhebespannung, die höher als eine erste Versorgungsspannung ist, durch Verwendung der ersten Versorgungsspannung und einer zweiten Versorgungsspannung, die niedriger als die erste Versorgungsspannung ist, als Reaktion auf ein Anhebesteuersignal. DOLLAR A Erfindungsgemäß enthält der Spannungsanhebeschaltkreis (100) für einen integrierten Schaltkreis zusätzlich zu einer Anhebeeinheit (110) einen Spannungsklemmschaltkreis (120). Die Anhebeeinheit (110) erzeugt in Abhängigkeit von einem Anhebesteuersignal eine Anhebespannung, die höher als eine Versorgungsspannung ist. Der Spannungsklemmschaltkreis (120) beinhaltet einen Spannungsdetektor (122), einen Impulsgenerator (124) und einen Entladungsschaltkreis (126). Der Spannungsdetektor (122) erzeugt in Reaktion auf das Anhebesteuersignal ein Spannungsdetektionssignal als ein repräsentatives Merkmal der Anhebespannung. Der Impulsgenerator (124) erzeugt ein Impulssignal als Antwort auf das detektierte Spannungssignal. Der Entladungsschaltkreis (126) entlädt die Anhebespannung während eines Aktivierungszeitraums des Impulssignals. DOLLAR A Verwendung z. B. für Flash-Speicherbauelemente.
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申请公布号 |
DE10155691(A1) |
申请公布日期 |
2002.08.14 |
申请号 |
DE20011055691 |
申请日期 |
2001.11.07 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
BYEON, DAE SEOK;LIM, YOUNG HO |
分类号 |
G11C11/413;G11C5/14;G11C11/407;G11C16/06;G11C16/30;H02M3/07;(IPC1-7):H02M3/07;H01L23/58 |
主分类号 |
G11C11/413 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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