发明名称 A method for preparation of transparent conductive thin-film by Rapid Thermal Annealing Method and a transparent conductive thin-film prepared by the method
摘要 <p>본 발명은 도전성 투명 박막 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, a) 안티모니-주석 산화물(ATO) 또는 인듐-주석 산화물(ITO) 졸 용액을 제조하는 공정, b) 상기 a)의 졸 용액을 사용하여 음극선관의 외면에 투명 코팅막을 형성시키는 공정 및 c) 급속으로 300 내지 1200 ℃로 승온한 후 즉시 또는 20 초 이내로 유지한 후, 급속 냉각시키는 공정을 포함하는 도전성 투명 박막의 제조 방법 및 그 제조 방법으로 제조된 도전성 투명 박막으로서 우수한 도전성, 고경도성 및 무반사성을 가지며, 또한 공정의 시간을 절약하고 효율을 증대시킬 수 있는 도전성 투명 박막 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.</p>
申请公布号 KR100348702(B1) 申请公布日期 2002.08.13
申请号 KR19990063797 申请日期 1999.12.28
申请人 주식회사 루밴틱스 发明人 이현곤;김유진;오정현;오상수;김준범
分类号 H01B1/02;C03C17/25;H01J9/20 主分类号 H01B1/02
代理机构 代理人
主权项
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