| 主权项 |
1.一种对一固定研磨物件加以预调节之方法,其中该固定研磨物件在对一工件之一表面加以化学机械研磨(CMP)动作时至少包含复数个研磨零件,该方法至少包含加热该固定研磨物件之步骤。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该固定研磨物件在预调节动作之前具有一不稳定的第一研磨速率,而在加热之后具有一第二研磨速率,其中该第二研磨速率较该第一研磨速率为大并较稳定。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该固定研磨物件的移除速率在预调节处理之后至少为约2,000埃/分钟。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该研磨物件至少包含研磨零件,而研磨零件以一黏着剂将研磨粒子包含于其中。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该研磨粒子至少包含散布于一聚合黏着剂当中的研磨粒子。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中至少包含加热该研磨物件至一至少约为90℃之温度的步骤。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中至少包含加热该研磨物件至介于约90℃与约100℃间之温度的步骤。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中至少包含以热水加热该研磨物件的步骤。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中至少包含加热该研磨物件约10分钟至约30分钟的步骤。10.一种利用一固定研磨零件对一晶圆表面加以化学机械研磨(CMP)的方法,该方法至少包含下列之顺序步骤:预调节该固定研磨物件,依照申请专利范围第1项所述之方法为之;及对该晶圆表面加以CMP动作。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该晶圆表面至少包含一金属。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该晶圆表面至少包含铜或一种铜合金。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该晶圆表面更包含一介电材料。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中:该固定研磨零件在加热步骤之前在其表面上包含有内嵌之碎片;及加热步骤得降低该内嵌碎片量。15.如申请专利范围第8项所述之方法,其中至少包含分送该热水至该研磨物件上的步骤。16.如申请专利范围第8项所述之方法,其中至少包含令该研磨物件浸入该热水中的步骤。17.一种以化学机械方式研磨一工件的设备,该设备至少包含:一固定研磨零件,及一分送器,用以将热水分送至一固定研磨零件上。18.如申请专利范围第17项所述之设备,其中该分送器至少包含一喷嘴。19.如申请专利范围第17项所述之设备,其中更包含一控制器,用以将该水之温度维持在约95℃与约100℃之间。20.一种以化学机械方式研磨一晶圆的设备,该设备至少包含:一固定研磨零件,及加热装置,用以对该固定研磨零件加热。21.如申请专利范围第20项所述之设备,其中更包含一平台,其中该加热装置至使少包含一可压缩之底垫,该底垫包含一具热导性之材料,并直接位于该平台之上。22.如申请专利范围第20项所述之设备,其中更包含一平台,其中该加热装置位于该平台之内。23.如申请专利范围第22项所述之设备,其中加热装置至少包含一加热细丝。24.如申请专利范围第22项所述之设备,其中加热装置至少包含通道,一热流体从该通道中流过。25.一种以化学机械方式研磨一晶圆的设备,该设备至少包含:一固定研磨零件,及一加热器,用以对该固定研磨零件加热。图式简单说明:第1图及第2图示意说明本发明中使用一热水分送器的实施例。第3图至第5图示意说明本发明中其它使用加热装置的实施例。 |
