| 主权项 |
1.一种半导体制造装置,包含:一处理室,其可实质上密封,俾能保持其内部洁净;以及一载物台,其配置在该处理室内部,且处理对象的一半导体基板安装于其上方;其中该半导体制造装置,当冷却该载物台上之该半导体基板时,在该半导体基板上完成所指示的制程;以及其中该载物台系由一具有高热传导系数之材料所组成;以及该半导体制造装置更包含一冷却用媒介通路用以传导一只在处理室外部之冷却用媒介,用以冷却该载物台。2.如申请专利范围第1项之半导体制造装置,其中该载物台系由钻石所组成。3.如申请专利范围第1项之半导体制造装置,该半导体制造装置更包含:一吸引通路,其在该载物台上的一区域中具有开口,该区域为当半导体基板被安装时位于半导体基板正下方;以及一吸引泵,连接到该吸引通路,其能在制程期间降低该吸引通路之内压到低于该处理室之内压的一压力。4.一种半导体制造装置,包含:一处理室,其可实质上密封,俾能保持其内部洁净;一载物台,其配置在该处理室内部,且处理对象的一半导体基板安装于其上方;以及一冷却用媒介气体通路,其在该载物台上的一区域中具有开口,该区域为当半导体基板被安装时位于半导体基板正下方,而且自该冷却用媒介气体通路导入一冷却用媒介气体;该半导体制造装置,更包含:一第一排气通路,其在该载物台的一区域具有开口,该区域为当半导体基板被安装时位于半导体基板正下方;以及一排气泵,其连接到该第一排气通路。5.如申请专利范围第4项之半导体制造装置,其中该第一排气通路之该开口系开启在该载物台于该半导体基板正下方之该区域之一周围区域,且该冷却用媒介气体通路之该开口系开启在一中央区域,其被该第一排气通路之该开口所开启之该周围区域围绕。6.一种半导体制造装置,包含:一处理室,其可实质上密封,俾能保持其内部洁净;一载物台,其配置在该处理室内部,且处理对象的一半导体基板安装于其上方;以及一冷却用媒介气体通路,其在该载物台上的一区域中具有开口,该区域为当半导体基板被安装时位于半导体基板正下方,而且自该冷却用媒介气体通路导入一冷却用媒介气体;该半导体制造装置,更包含:一第二排气通路,其在该载物台之该区域之一周围区域具有开口,该区域为当半导体基板被安装时位于半导体基板正下方;以及一排气泵,其连接到该第二排气通路。7.一种半导体制造装置,包含:一处理室,其可实质上密封,俾能保持其内部洁净;一载物台,其配置在该处理室内部,且一半导体基板,本制程的目的,安装于其上;以及一冷却用媒介气体通路,其在该载物台上的一区域中具有开口,该区域为当半导体基板被安装时位于半导体基板正下方,而且自该冷却用媒介气体通路导入一冷却用媒介气体;其中,该载物台之上表面系小于该半导体基板。8.一种半导体制造装置,包含:一处理室,其可实质上密封,俾能保持其内部洁净;一载物台,其配置在该处理室内部,且处理对象的一半导体基板安装于其上方;以及一冷却用媒介气体通路,其在该载物台上的一区域中具有开口,该区域为当半导体基板被安装时位于半导体基板正下方,而且自该冷却用媒介气体通路导入一冷却用媒介气体;该半导体制造装置,更包含:一导入控制装置,用以导入该冷却用媒介气体以使其流速不超过一指示流速。9.如申请专利范围第8项之半导体制造装置,其中该导入控制装置控制流速。10.一种半导体制造装置,包含:一处理室,其可实质上密封,俾能保持其内部洁净;一制程气体导入装置,用以导入制程气体到该处理室;一加工用下部电极,其配置在该处理室之下部,且一加工用上部电极系配置在该处理室之上部以面对该加工用下部电极,用以供应电力以转换该制程气体成电浆;一载物台,其配置在该加工用下部电极上方,且处理对象的一半导体基板安装于其上方;以及一冷却用媒介气体通路,其在该载物台上的一区域中具有开口,该区域为当半导体基板被安装时位于半导体基板正下方,而且自该冷却用媒介气体通路导入一冷却用媒介气体;该半导体制造装置,更包含:一除去用电极,当该半导体基板安装于该载物台时,其位于该半导体基板附近且一直流电源系连接到其上。11.如申请专利范围第10项之半导体制造装置,其中施加一负电压到该除去用电极。12.如申请专利范围第10项之半导体制造装置,其中施加一正电压到该除去用电极。13.如申请专利范围第10项之半导体制造装置,包含:一第一该除去用电极,施加一负电压于其上;以及一第二该除去用电极,施加一正电压于其上。14.一种半导体制造方法,其使用一半导体制造装置,包含:一处理室,其可实质上密封,俾能保持其内部洁净;以及一载物台,其配置在该处理室内部,且处理对象的一半导体基板安装于其上方;该半导体制造方法包含以下步骤:在安装该半导体基板到该载物台之前,给予该半导体基板之下表面一镜面研磨处理。15.一种半导体制造方法,其使用一半导体制造装置,包含:一处理室,其可实质上密封,俾能保持其内部洁净;以及一载物台,其配置在该处理室内部,且处理对象的一半导体基板安装于其上方;该半导体制造方法包含以下步骤:在该半导体基板安装于该载物台之前,洁净该载物台。16.一种半导体制造方法,其使用一半导体制造装置,包含:一处理室,其可实质上密封,俾能保持其内部洁净;以及一载物台,其配置在该处理室内部,且处理对象的一半导体基板安装于其上方;该半导体制造方法包含以下步骤:在安装该半导体基板到该载物台之前,洁净该半导体基板之下表面。图式简单说明:图1为习知技术之一半导体制造装置之一示意剖面图。图2为本发明之实施例一粒子监视系统之一示意结构图,其用来观察半导体制造装置内部之粒子。图3为一图表显示,当在半导体基板上完成一指定的制程时,利用图2的组子监视系统在处理室内观察,产生在处理室内粒子数目且个别处理信号随时间之改变。图4为从一半导体基板附近喷出之一粒子影像。图5为一已降落在一半导体基板上之一粒子影像。图6为一半导体制造装置之一示意剖面图,其显示本发明之第一实施例之基本概念。图7为一半导体制造装置之一示意剖面图,其显示本发明之第一实施例概念之真实计画。图8a和8b为半导体制造装置之载物台一部份侧视图,其显示本发明之第一实施例概念之另一真实计画。图9为一半导体制造装置之一示意剖面图,其显示本发明之第一实施例概念之另一真实计画。图10为依据本发明之第二实施例之半导体制造装置一示意剖面图。图11为图10之半导体制造装置一变形例之一示意剖面图。图12为依据本发明之第三实施例之半导体制造装置一示意剖面图。图13为依据本发明之第四实施例之半导体制造装置一示意剖面图。图14为一图表显示,当冷却用媒介气体利用习知技术的导入方法,冷却用媒介气体之流速随时间的改变,用以和本发明的第五实施例之导入方法比较。图15为一图表显示,当冷却用媒介气体利用本发明的第五实施例的导入方法,冷却用媒介气体之流速随时间的改变。图16为本发明的第六实施例之半导体制造装置处理室之内部示意侧视图。图17a为一流程图,显示习知技术之半导体制造方法之步骤。图17b为一流程图,显示本发明的第七实施例之半导体制造方法之步骤。图18a为一流程图,显示习知技术之半导体制造方法之步骤。图18b为一流程图,显示本发明的第八实施例之半导体制造方法之步骤。 |
