| 主权项 |
1.一种光耦合半导体装置,包含:一光发射装置;一光接收装置;一些导线框,分别在彼此隔开的位置支撑光发射装置和光接收装置;和一光传导树脂突起,具有一纵向延伸逐渐变小的顶点部分,该突起当成光发射装置和光接收装置之间延伸的光程,具有一几乎固定的高度,反射从光发射装置发射的光以聚集光到顶点部分,并引导如此聚集之光到光接收装置。2.如申请专利范围第1项之光耦合半导体装置,其中光发射装置和光接收装置分别有一光发射面和一光接收面,大体上位于相同的参考平面上。3.如申请专利范围第1项之光耦合半导体装置,其中光传导树脂突起有具有顶点部分和定义顶点部分的二侧面之一断面配置。4.如申请专利范围第1项之光耦合半导体装置,其中光传导树脂突起由能够透过阳离子聚合的环氧基树脂形成。5.如申请专利范围第1项之光耦合半导体装置,其中光传导树脂突起在光接收装置周围的位置是圆顶形的,以在光接收装置聚集光。6.如申请专利范围第1项之光耦合半导体装置,其中在光发射装置和光接收装置间之距离1.和光传导树脂突起的高度L设定成满足下列关系:1≧L。7.如申请专利范围第1项之光耦合半导体装置,其中光传导树脂突起的宽度比光发射装置的光发射区域之宽度、和光接收装置的光接收区域之宽度更大。8.如申请专利范围第1项之光耦合半导体装置,其中光传导树脂突起有相对的终端,设置成分别重叠在光发射装置和光接收装置上。9.如申请专利范围第1项之光耦合半导体装置,其中光传导树脂突起有一端邻接光接收装置。10.如申请专利范围第1项之光耦合半导体装置,其中光发射装置作成至少有二侧壁朝向光接收装置之一棱镜。11.一种制造光耦合半导体装置之方法,包含步骤:在分别的导线框片安装一光发射装置和一光接收装置,并藉由冲模接合或线接合连接光发射装置和光接收装置到对应的导线框;形成一光传导树脂突起,其具有一纵向延伸逐渐变小的顶点部分和一大体上固定的高度,树脂突起当成光发射装置和光接收装置间之一光程;和以一防光的树脂封闭光发射装置、光接收装置、和光传导树脂突起。12.如申请专利范围第11项之制造光耦合半导体装置之方法,其中防光的树脂包含一防焰树脂,其为白色的且至少在与光传导树脂突起的介面之邻近位置有增加的光反射率。图式简单说明:图1是表示当成本发明一第一具体实施例的光耦合半导体装置之断面图;图2是图1中从A-A切割线看的断面图;图3是表示当成第一具体实施例的光耦合半导体装置中之光传导树脂突起的一种变化之断面图;图4是一表示图3中显示的光传导树脂突起之平面图;图5是表示当成第一具体实施例的光耦合半导体装置中之光传导树脂突起的另一种变化之断面图;一断面图表示光耦合半导体装置里的光传导树脂突起的另外一种变化为第一具体实施例;图6是表示图5中显示的光传导树脂突起之平面图;图7是表示当成本发明一第二具体实施例的光耦合半导体装置之断面图;图8是表示图7中显示的光耦合半导体装置中一光传导树脂突起之平面图;图9是表示当成第二具体实施例的光耦合半导体装置中之光传导树脂突起的一种变化之断面图;图10是表示当成本发明一第三具体实施例的光耦合半导体装置之断面图;图11是表示图10中显示的光耦合半导体装置中一光传导树脂突起之平面图;图12是说明一习知技术装置的断面图;图13是说明一习知技术光耦合器的断面图;和图14是表示图13中显示的光耦合器中一矽酮树脂的平面图。 |
