| 主权项 |
1.一种双晶-场效电晶体,其特征为具有:●一个基板,●一个位于基板上方之双晶,●一个闸极及一个在双晶之一部份上方之间隔层(spacer)。2.如申请专利范围第1项之双晶-场效电晶体,其中此闸极及/或间隔层沿着双晶之此部份之整个高度而延伸。3.如申请专利范围第1或第2项之双晶-场效电晶体,其中此基板含有氧化矽。4.如申请专利范围第1或2项之双晶-场效电晶体,其中此双晶含有矽。5.如申请专利范围第1或2项之双晶-场效电晶体,其中闸极含有多晶矽。6.如申请专利范围第1或2项之双晶-场效电晶体,其中该间隔层含有氧化矽及/或氮化矽。7.如申请专利范围第1或2项之双晶-场效电晶体,其中●间隔层含有间隔层第一部份(其具有氧化矽)及间隔层第二部份(其具有氮化矽),●间隔层第二部份配置于间隔层第一部份上方。8.如申请专利范围第1或2项之双晶-场效电晶体,其中在基板和双晶,闸极之间设置一种蚀刻停止层。9.如申请专利范围第8项之双晶-场效电晶体,其中蚀刻停止层具有氮化矽。10.如申请专利范围第1或2项之双晶-场效电晶体,其中间隔层之高度相对于基板而言等于闸极之高度。11.一种双晶-场效电晶体之制造方法,其特征为:●在基板上形成双晶,●在基板上沿着双晶之一部份上方形成一种闸极层,●在闸极层上方形成一种隔离层,●在隔离层下方便闸极层之一部份被去除,●在隔离层下方形成一种间隔层。12.一种双晶-场效电晶体之制造方法,其特征为:●在基板上形成双晶,●在基板上沿着双晶之一部份上方形成一种闸极层,●在闸极层上方形成一种隔离层,●在未由闸极层所覆盖之此种区域上方形成一种待去除之层直至一种高度(其在双晶上方且在该隔离层下方)为止,●在该待去除之层之一部份上方形成一种间隔层,●去除此种待去除之层直至直接位于间隔层下方之此部份为止。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该双晶-场效电晶体之各元件之至少一部份是藉由沈积而形成。14.如申请专利范围第11至13项中任一项之方法,其中使用氧化矽作为基板。15.如申请专利范围第11或12项之方法,其中使用矽作为双晶。16.如申请专利范围第11或12项之方法,其中使用多晶矽作为闸极。17.如申请专利范围第11或12项之方法,其中使用氧化矽及/或氮化矽作为间隔层。18.如申请专利范围第11或12项之方法,其中以下述方式形成该间隔层:●以氧化矽形成间隔层第一部份,●在间隔层第一部份上方以氮化矽形成间隔层第二部份。19.如申请专利范围第11或12项之方法,其中在基板和双晶,闸极之间设置一种蚀刻停止层。20.如申请专利范围第19项之方法,其中使用氮化矽作为蚀刻停止层。21.如申请专利范围第11或12项之方法,其中须形成该间隔层,使其高度相对于基板而言等于闸极之高度。图式简单说明:第1图 本发明第一实施例之双晶-场效电晶体。第2图 先前技艺之双晶-场效电晶体。第3图 第1图中之双晶-场效电晶体之俯视图,其包含一条切割线A-A'。第4A至4E图 沿着第3图之切割线A-A'所看到之第1图之双晶-场效电晶体之切面图,其中显示本发明第一实施例之双晶-场效电晶体之制程之各步骤。第5图 本发明第二实施例之双晶-场效电晶体。第6图 第5图中之双晶-场效电晶体之俯视图,其包含一条切割线B-B'。第7A至7E图 沿着第6图之切割线B-B'所看到之第5图之双晶-场效电晶体之切面图,其中显示本发明第二实施例之双晶-场效电晶体之制程之各步骤。第8图 本发明第三实施例之双晶-场效电晶体。 |
