| 主权项 |
1.一种可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,该方法包括:提供具有一井区与一元件隔离结构之一基底;于该基底上形成一牺牲层;于该基底上形成一光阻层;定义该光阻层以形成一开口,该开口暴露部分该基底表面;以该光阻层为罩幕,进行掺质植入,以于该基底中形成一高掺杂区;移除该光阻层;移除该牺牲层以及部分该元件隔离结构,使该元件隔离结构之表面低于该基底之表面,并暴露出部分该基底之侧壁;于该基底之表面与该基底之侧壁上形成一闸氧化层,形成于该基底之表面之该闸氧化层厚度较厚于形成于该基底之侧壁之该闸氧化层厚度;移除部分该闸氧化层,以形成暴露该基底之侧壁之一穿遂窗口;于该穿遂窗口上形成一穿遂氧化层;以及依序于该基底上形成一浮置闸极、一介电层与一控制闸极。2.如申请专利范围第1项所述之可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,其中移除该牺牲层以及部分该元件隔离结构之方法包括湿式蚀刻法。3.如申请专利范围第1项所述之可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,其中移除该牺牲层以及部分该元件隔离结构之方法包括使用氢氟酸或缓冲氧化蚀刻剂作为蚀刻剂。4.如申请专利范围第1项所述之可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,其中移除部分该闸氧化层之方法包括湿式蚀刻法。5.如申请专利范围第1项所述之可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,其中移除部分该闸氧化层之方法包括使用氢氟酸或缓冲氧化蚀刻剂作为蚀刻剂。6.如申请专利范围第1项所述之可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,其中形成该穿遂氧化层之方法包括热氧化法。7.如申请专利范围第1项所述之可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,其中形成该闸氧化层之方法包括热氧化法。8.如申请专利范围第1项所述之可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,其中掺质植入之方法包括离子植入法。9.如申请专利范围第1项所述之可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,其中该介电层之材质系选自氧化矽与氧化矽/氮化矽氧化矽(ONO)所组之族群之其中之一。10.一种可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,该方法包括:提供已形成一元件隔离结构与一高掺杂区之一基底,且该元件隔离结构包围该高掺杂区;移除部分该元件隔离结构,使该元件隔离结构之表面低于该基底之表面,并暴露出部分该基底之侧壁;于该基底上形成一闸氧化层;移除该基底之侧壁上之该闸氧化属,以形成一穿遂窗口;于该穿遂窗口上形成一穿遂氧化层;以及依序于该基底上形成一浮置闸极、一介电层与一控制闸极。11.如申请专利范围第10项所述之可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,其中移除部分该元件隔离结构之方法包括湿式蚀刻法。12.如申请专利范围第10项所述之可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,其中移除部分该元件隔离结构之方法包括使用氢氟酸或缓冲氧化蚀刻剂作为蚀刻剂。13.如申请专利范围第10项所述之可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,其中移除部分该闸氧化层之方法包括湿式蚀刻法。14.如申请专利范围第10项所述之可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,其中移除部分该闸氧化层之方法包括使用氢氟酸或缓冲氧化蚀刻剂作为蚀刻剂。15.如申请专利范围第10项所述之可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,其中形成该穿遂氧化层之方法包括热氧化法。16.如申请专利范围第10项所述之可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,其中形成该闸氧化层之方法包括热氧化法。17.如申请专利范围第10项所述之可电抹除亦可程式化唯读记忆体之制造方法,其中该介电层之材质系选自氧化矽与氧化矽/氮化矽/氧化矽(ONO)所组之族群之其中之一。18.一种可电抹除亦可程式化唯读记忆体之结构,该可电抹除亦可程式化唯读记忆体之结构包括:一基底;一元件隔离结构,位于该基底中,且该元件隔离结构之表面低于该基底之表面,并暴露该基底之侧壁;一高掺杂区,位于该元件隔离结构间之该基底中。一穿遂氧化层,位于该基底之侧壁上;一闸氧化层,位于该基底上,并与该基底之侧壁上之该穿遂氧化层相邻接;一浮置闸极,位于该基底上并覆盖该闸氧化层与该穿遂氧化层;一介电层,位于该基底上并覆盖该浮置闸极;以及一控制闸极,位于该基底上并覆盖该介电层。图式简单说明:第1图为绘示习知之一种电性可抹除亦可程式化唯读记忆体(EEPROM)的布局图。第2A图至第2C图为绘示第1图的I-I剖面之可电除且可程式唯读记忆体(EEPROM)的制造流程图,第3A图至第3F图为绘示本发明实施例之可电除且可程式唯读记忆体(EEPROM)的制造流程剖面图。 |
