| 主权项 |
1.一种MOS电晶体,-具有一个源极区(S1)及一个汲极区(D1),此二区是由第一导电型所掺杂,-具有相连接之通道区(KA1),其配置在源极区(S1)和汲极区(D1)之间且邻接于源极区(S1)和汲极区(D1),-至少在通道区(KA1)之一个面上配置闸极介电质(GD1),-具有一个闸极电极(GA1),其覆盖此闸极介电质(GD1),其特征为:-在源极区(S1)和汲极区(D1)之间配置一个限流元件(E1)且此限流元件(E1)邻接于闸极介电质(GD1)和通道区(KA1),-此限流元件(E1)之一部份延伸至与闸极电极(GA1)相距一段距离处,使得在控制闸极电极(GA1)时不会在此部份上形成反相层,-须构成此限流元件(E1),使至少一部份之电荷载体(其在闸极电极(GA1)适当地受到控制时由源极区(S1)流至汲极区(D1))。可在此限流元件(E1)之此部份(其上未形成反相层)之区域中横越此通道区(KA1)之一部份。2.如申请专利范围第1项之MOS电晶体,其中须形成此限流元件(E1),使全部之电荷载体(其由源极区(S1)流至汲极区(D1))可在此限流元件(E1)之此部份(其上未形成反相层)之区域中横越此通道区(KA1)之此部份。3.如申请专利范围第2项之MOS电晶体,其中该限流元件(E1)之上述部份至闸极电极(GA1)之距离是介于2nm和20nm之间。4.如申请专利范围第1,2或3项之MOS电晶体,其中此限流元件(E1)邻接于汲极区(D1)且与源极区(S1)相隔开。5.如申请专利范围第1,2或3项之MOS电晶体,其中此限流元件(E1)之该部份之区域中之一个区段(其使电荷载体在流动时回到原处)较源极区(S1)和汲极区(D1)之间的一个区段其使电荷载体由源极区(S1)流至汲极区(D1)时回到原处)还小5至50倍。6.如申请专利范围第5项之MOS电晶体,其中此限流元件(E1)之该部份之区域中之此区段(其使电荷载体在流动时回到原处)是介于1nm至50nm之间。7.如申请专利范围第1至3项中任一项之MOS电晶体,其中-至少此源极区(S1)和通道区(KA1)邻接于基板(1)之平坦之表面且配置在基板(1)中,-此限流元件(E1)配置在基板(1)之一种由表面开始之凹口(V1)中。8.如申请专利范围第4项之MOS电晶体,其中-至少此源极区(S1)和通道区(KA1)邻接于基板(1)之平坦之表面且配置在基板(1)中,-此限流元件(E1)配置在基板(1)之一种由表面开始之凹口(V1)中。9.如申请专利范围第5项之MOS电晶体,其中-至少此源极区(S1)和通道区(KA1)邻接于基板(1)之平坦之表面且配置在基板(1)中,-此限流元件(E1)配置在基板(1)之一种由表面开始之凹口(V1)中。10.如申请专利范围第1至3项中任一项之MOS电晶体,其中该限流元件(E1)由绝缘材料所构成。11.如申请专利范围第1至3项中任一项之MOS电晶体,其中此限流件(El)是一种掺杂区,其由第二导电型(其与第一导电型相反)所掺杂且其所具有之第二导电型之掺杂用之离子之掺杂浓度较通道区者还大。12.如申请专利范围第4项之MOS电晶体,其中此限流元件(E1)是一种掺杂区,其由第二导电型(其与第一导电型相反)所掺杂且其所具有之第二导电型之掺杂用之离子之掺杂浓度较通道区者还大。13.如申请专利范围第5项之MOS电晶体,其中此限流元件(E1)是一种掺杂区,其由第二导电型(其与第一导电型相反)所掺杂且其所具有之第二导电型之掺杂用之离子之掺杂浓度较通道区者还大。14.一种驱动电路,其具有如申请专利范围第1至13项中任一项之MOS电晶体,其特征为:-此MOS电晶体(T1)是p-通道-电晶体,-另有一个MOS电晶体(T2),其构造类似于MOS电晶体(T1)但不同处是此MOS电晶体(I2)是n-通道-电晶体,-此MOS电晶体(T1)之闸极电极和另一MOS电晶体(T2)之闸极电极是与输入端(IN)相连接,-此MOS电晶体(TI)连接在高接点(Vdd)和输出端(OUT)之间,-另一MOS电晶体(T2)连接在输出端(OUT)和低接点(O)之间,-MOS电晶体(T1)之汲极区和另一MOS电晶体(T2)之汲极区是与输出端(OUT)相连接。图式简单说明:第1a图系在产生一个隔离区,源极区,汲极区,通道区,闸极介电质,闸极电极,限流元件,凹口,间隔层,隔离层和各接触区之后第一基板之横切面。第1b图系第一基板之俯视图,其中显示一个隔离区,源极区,汲极区,通道区和限流元件。第2图系由第1a,1b图所构成之MDS电晶体之电流-电压-特性曲线及传统之MOS电晶体之电流-电压-特性曲线。第3图系驱动电路之电路图。第4a图系第3图之驱动电路之输出端以及传统式驱动电路之输出端之电压随时间之上升曲线图。第4b图与第3图之驱动电路之输出端相邻以及一条与传统式驱动电路之输出端相邻之导线上之干扰信号之时间曲线图。第5图系在产生一个源极区,汲极区,填充结构,第二填充结构,闸极介电质,闸极电极,凹口和限流元件之后第二基板之横切面。第6图系在产生一个隔离区,第一凹口,第二凹口,汲极区,源极区,闸极介电质,闸极电极和限流元件之后第三基板之横切面。 |
