| 主权项 |
1.一种覆晶接合结构,至少包括:一基板,该基板具有一基板表面,而该基板表面具有一晶片置放区域,在该晶片置放区域内具有复数个接点;一晶片,具有一主动表面,而在该主动表面上具有复数个焊垫,而该晶片之该主动表面与该基板表面相对;以及复数个焊块,每一该些焊块分别与该些焊垫之一焊合,亦与该些接点之一焊合,其中该些焊块的尺寸并非完全一样,该晶片系透过该些焊块与该基板焊合于该晶片置放区域。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶接合结构,其中在该晶片与该基板间还具有一填充材料,该填充材料包覆该些焊块。3.如申请专利范围第1项所述之覆晶接合结构,其中该些焊块系以矩阵排列的方式位于该晶片与该基板之该晶片置放区域间,且对应于该晶片置放区域的周边部位之该些焊块较大,而对应于该晶片置放区域的中间部位之该些焊块较小。4.如申请专利范围第1项所述之覆晶接合结构,其中每一该些焊块系由一凸块及一焊接膏块所组成,该焊接膏块包覆该凸块,而该凸块的材质系为高含铅量的锡铅合金。5.如申请专利范围第4项所述之覆晶接合结构,其中该些凸块的材质系为5/95锡铅合金,而该些焊接膏块系为63/37锡铅合金。6.如申请专利范围第4项所述之覆晶接合结构,其中对应于该晶片置放区域的周边部位之该些焊接膏块较大,而对应于该晶片置放区域的中间部位之该些焊接膏块较小。7.一种覆晶接合结构,至少包括:一基板,该基板具有一基板表面,而该基板表面具有一晶片置放区域,在该晶片置放区域内具有一焊罩层及复数个接点,而该焊罩层具有复数个焊罩开口,透过该些焊罩开口暴露出该些接点,其中该些焊罩开口的大小并不一样大;一晶片,具有一主动表面,而在该主动表面上具有复数个焊垫,而该晶片之该主动表面与该基板表面相对;以及复数个焊块,每一该些焊块分别与该些焊垫之一焊合,亦与该些接点之一焊合,该晶片系透过该些焊块与该基板焊合于该晶片置放区域。8.如申请专利范围第7项所述之覆晶接合结构,其中在该晶片与该基板间还具有一填充材料,该填充材料包覆该些焊块。9.如申请专利范围第7项所述之覆晶接合结构,其中对应于该晶片置放区域周边部位的该些焊罩开口截面积小于应于该晶片置放区域中间部位的该些焊罩开口截面积。10.一种覆晶接合结构制程,至少包括:提供一晶片,该晶片具有一主动表面,在该主动表面上具有复数个焊垫,在该些焊垫上还具有复数个凸块;提供一基板,该基板具有一基板表面,而该基板表面具有一晶片置放区域,该晶片置放区域内具有复数个接点;进行一涂上焊接膏块制程,将复数个焊接膏块涂布于该晶片置放区域内对应于该些接点的区域,其中该些焊接膏块的大小并不一样;以及进行一焊合制程,使该晶片之该主动表面与该基板表面相对,将该些凸块附着于该些焊接膏块上,并透过加热的方式使该些凸块与该些焊接膏块融合而成复数个焊块,每一该些焊块分别与该些焊蛰之一焊合,亦与该些接点之一焊合,该晶片透过该些焊块与该基板表面焊合于该晶片置放区域。11.如申请专利范围第10项所述之覆晶接合结构制程,其中在进行该焊合制程后,还包括进行一填入填充材料制程,将一填充材料填充于该晶片与该基板间,且该填充材料包覆该些焊块。12.如申请专利范围第10项所述之覆晶接合结构制程,其中在进行该涂上焊接膏块制程时,系藉由一网板,该网板具有复数个开口,将该网板置于该基板上,且该些开口暴露出该晶片置放区域内的该些接点,并透过印刷的方式使该些焊接膏块填充于该些开口内,使该些焊接膏块形成于该晶片置放区域对应于该些接点的地方,其中该些开口的大小并不相同,使得填入于该些开口内的该些焊接膏块的大小亦不一样。13.如申请专利范围第12项所述之覆晶接合结构制程,其中该些开口系为矩阵排列,且对应于该晶片置放区域边缘部位的该些开口截面积大于对应于该晶片置放区域中间部位的该些开口截面积,使得对应于该晶片置放区域边缘部位的该些焊接膏块体积大于对应于该晶片置放区域中间部位的该些焊接膏块体积。14.如申请专利范围第10项所述之覆晶接合结构制程,其中在进行该焊合制程时,系透过回焊的方式使该些凸块与该些焊接膏块融合。15.如申请专利范围第10项所述之覆晶接合结构制程,其中该些焊块系以矩阵排列的方式位于该晶片与该晶片置放区域间,且对应于该晶片置放区域周边部位的该些焊块较大,而对应于该晶片置放区域中间部位的该些焊块较小。16.如申请专利范围第10项所述之覆晶接合结构制程,其中该些凸块的材质系为高含铅量的锡铅合金。17.如申请专利范围第10项所述之覆晶接合结构制程,其中该些凸块的材质系为5/95锡铅合金,而该些焊接膏块系为63/37锡铅合金。18.一种覆晶接合结构制程,至少包括:提供一晶片,该晶片具有一主动表面,在该主动表面上具有复数个焊垫,在该些焊垫上还具有复数个凸块;提供一基板,该基板具有一基板表面,而该基板表面具有一晶片置放区域,在该晶片置放区域内具有一焊罩层及复数个接点,而该焊罩层具有复数个焊罩开口,透过该些焊罩开口暴露出该些接点,其中该些焊罩开口的大小并不一样大;进行一涂上焊接膏块制程,将复数个焊接膏块涂布于该晶片置放区域内对应于该些接点的区域;以及进行一焊合制程,使该晶片之该主动表面与该基板表面相对,将该些凸块附着于该些焊接膏块上,并透过加热的方式使该些凸块与该些焊接膏块融合而成复数个焊块,每一该些焊块分别与该些焊垫之一焊合,亦与该些接点之一焊合,该晶片透过该些焊块与该基板表面焊合于该晶片置放区域。19.如申请专利范围第18项所述之覆晶接合结构制程,其中在进行该焊合制程后,还包括进行一填入填充材料制程,将一填充材料填充于该晶片与该基板间,且该填充材料包覆该些焊块。20.如申请专利范围第18项所述之覆晶接合结构制程,其中对应于该晶片置放区域周边部位的该些焊罩开口截面积小于对应于该晶片置放区域中间部位的该些焊罩开口截面积。21.如申请专利范围第18项所述之覆晶接合结构制程,其中在进行该焊合制程时,系透过回焊的方式使该些凸块与该些焊接膏块融合。图式简单说明:第1图、第2图绘示习知覆晶封装制程的剖面示意图。第3图、第4图、第5图绘示依照本发明第一较佳实施例的一种覆晶接合结构制程剖面示意图。第3A图绘示网板的俯视示意图。第4A图绘示焊块结构之剖面放大示意图。第6图、第7图、第8图绘示依照本发明第二较佳实施例的一种覆晶接合结构制程剖面示意图。第6A图绘示基板之焊罩开口的俯视示意图。 |
