| 主权项 |
1.一种聚合性金刚烷衍生物之制法,其系在由稀土类元素化合物所构成的触媒存在下,于0-150℃之反应温度下,使下述式(1a)所示之化合物:(其中,R1a、R2a、R3a及R4a可相同或不同,为至少1种选自氢原子、卤素原子、烷基、醯基、硝基、基、羟基、羟甲基、羧基及胺基的取代基;R1a、R2a、R3a及R4a中至少1个为羟基、羟甲基、羧基或胺基;而金刚烷骨架上之第二级碳原子亦可具有侧氧基)与至少一种选自具聚合性不饱和键之醇、羧酸、胺基及此等之反应性衍生物的化合物行酯化反应或醯胺化反应,以制得下述式(1)所示之聚合性金刚烷衍生物:(其中,R1.R2.R3及R4可相同或不同,为至少1种选自氢原子、卤素原子、烷基、醯基、硝基、基及聚合性不饱和基之取代基;R1.R2.R3及R4中至少1个为聚合性不饱和基;金刚烷骨架上之第二级碳原子亦可具有侧氧基;X系表示以酯键或醯胺键构成的连结基;n系表示0或1,X亦可因R1.R2.R3及R4而不同;惟R1.R2.R3及R4不为聚合性不饱和基时,n为0)。2.如申请专利范围第1项之聚合性金刚烷衍生物的制法,其中,聚合性不饱和基系具有至少1种选自乙烯基、异丙烯基及烯丙基之聚合性不饱和双键。3.如申请专利范围第1项之聚合性金刚烷衍生物的制法,其中,X系为酯键,R1.R2.R3及R4中至少1个具乙烯基或异丙烯基。4.如申请专利范围第1项之聚合性金刚烷衍生物的制法,其中,使R1a、R2a、R3a及R4a中至少1个为羟基或其反应性衍生物基之金刚烷衍生物与丙烯酸、甲基丙烯及此等之反应性衍生物予以酯化反应。5.如申请专利范围第1项之聚合性金刚烷衍生物之制法,其中,稀土类元素化合物系为至少1种选自钪化合物、镱化合物、钆化合物、钐化合物及镧化合物者。6.如申请专利范围第1项之聚合性金刚烷衍生物之制法,其中,稀土类元素化合物为二价或三价钐化合物。7.如申请专利范围第1项之聚合性金刚烷衍生物之制法,其中,具有聚合性不饱和键之羧酸及其反应性衍生物系为至少1种选自具,-乙烯性不饱和双键或三键之有机羧酸或其酸卤化物、有机羧酸之C1-4低级烷酯、有机羧酸之C2-4烯酯者。8.如申请专利范围第1项之聚合性金刚烷衍生物之制法,其中,在稀土类元素化合物存在下,使在分子中具有1-4个羟基之金刚烷,与至少一种选自具有,-乙烯性不饱和双键之有机羧酸或其酸卤化物、有机羧酸之C1-4低级烷酯、有机羧酸之C2-4烯酯的化合物反应。9.一种聚合性金刚烷衍生物,其系表为下述式(3):(其中,R1.R2.R3及R4可相同或不同,为至少一种选自氢原子、卤素原子、烷基、醯基、羟基、羧基、硝基、胺基、羟甲基及聚合性不饱和基之取代基;R1.R2.R3及R4中,至少一个为至少一种选自乙烯基、异丙烯基及烯丙基之聚合性不饱和基;金刚烷骨架上之第二级碳原子亦可具有侧氧基;X系表示-OC(=O)-基(左端为与金刚烷架构键结的部位);n系表示0或1;惟R1.R2.R3及R4不为聚合性不饱和基时,n为0;上述聚合性不饱和基数为1或2时,R1.R2.R3及R4中至少1个为选自硝基,醯基,经醯化亦可的胺基,经甲氧基保护亦可之选自羧基及羟甲基之基;抑或金刚烷骨架上之至少1个第二级碳原子系具有侧氧基)。10.一种聚合性金刚烷衍生物,其系为申请专利范围第1项中式(1)所示之化合物,其中卤素残存量为70ppm以下者。11.一种聚合性金刚烷衍生物之合成用触媒,其系由稀土类元素化合物所构成,且其用于如申请专利范围第1项所述藉由酯化反应或醯胺化反应以制造聚合性金刚烷衍生物之方法。 |
