| 主权项 |
1.一种具有支撑于内部之垫的多层陶瓷基材,至少包括:一第一陶瓷层,具有复数个填入介层窗以及一外部表面;至少一外部衬垫,邻接于该第一陶瓷层之外部表面,该外部衬垫附着于该第一陶瓷层之该些填入介层窗;一第二陶瓷层,邻接于该第一陶瓷层,具有至少一填入介层窗,跟该第一陶瓷层之该填入介层窗连接;以及至少一内部衬垫,介于该第一陶瓷层与第二陶瓷层之间,跟该第一陶瓷层中之该些填入介层窗连接,在该第一陶瓷层之每一个填入介层窗跟在该第二陶瓷层之介层窗或该内部衬垫连接。2.如申请专利范围第1项所述之多层陶瓷基材,更包括一陶瓷覆盖层,覆盖该第一陶瓷层以及至少一衬垫之周缘。3.如申请专利范围第1项所述之多层陶瓷基材,其中在该第一陶瓷层之该些填入介层窗,包括至少容积百分之80之金属材质,并且剩余为陶瓷材质。4.如申请专利范围第3项所述之多层陶瓷基材,其中该金属材质系选自于由铜、铜的合金、镍与银所组成之族群中的材料。5.如申请专利范围第1项所述之多层陶瓷基材,该至少一衬垫包括至少容积百分之80之金属材质,并且剩余为陶瓷材质。6.如申请专利范围第5项所述之多层陶瓷基材,其中该金属材质系选自于由铜、铜的合金、镍与银所组成之族群中的材料。7.如申请专利范围第1项所述之多层陶瓷基材,其中在该第二陶瓷层之该填入介层窗包括容积百分之30至70之金属材质,剩余为陶瓷材质。8.如申请专利范围第1项所述之多层陶瓷基材,其中该内部衬垫包括容积百分之30至70之金属材质,剩余为陶瓷材质。9.如申请专利范围第1项所述之多层陶瓷基材,其中在该第二陶瓷层之复数个填入介层窗跟该至少一内部衬垫连接。10.如申请专利范围第1项所述之多层陶瓷基材,其中对于每一外部衬垫有复数个内部衬垫。11.如申请专利范围第10项所述之多层陶瓷基材,其中至少一在该第一陶瓷层之介层窗跟内部衬垫之一接触,并不执行电性功能。12.如申请专利范围第1项所述之多层陶瓷基材,其中在该第一陶瓷层之复数个介层窗执行电性功能。13.一种具有支撑于内部之垫的多层陶瓷基材,至少包括:一第一陶瓷层,具有一填入介层窗以及一外部表面;一外部衬垫,邻接于该第一陶瓷层之外部表面,该外部衬垫附着于至少一填入介层窗;一第二陶瓷层,邻接于该第一陶瓷层,具有至少一填入介层窗,跟该第一陶瓷层之填入介层窗连接;一内部衬垫,介于该第一陶瓷层与该第二陶瓷层之间,并且跟该第一陶瓷层与第二陶瓷层之填入介层窗连接;其中在该第一陶瓷层之介层窗大于在该第二陶瓷层之剖面区域,并且该第一陶瓷层厚于该第二陶瓷层。14.如申请专利范围第13项所述之多层陶瓷基材,其中在该第一陶瓷层之该填入介层窗包括至少容积百分之80之金属材质,剩余为陶瓷材质。15.如申请专利范围第14项所述之多层陶瓷基材,其中该金属材质系选自于由铜、铜的合金、镍与银所组成之族群中的材料。16.如申请专利范围第13项所述之多层陶瓷基材,其中该外部衬垫包括至少容积百分之80之金属材质,剩余为陶瓷材质。17.如申请专利范围第16项所述之多层陶瓷基材,其中该金属材质系选自于由铜、铜的合金、镍与银所组成之族群中的材料。18.如申请专利范围第13项所述之多层陶瓷基材,其中在该第二陶瓷层中具有复数个介层窗,跟在第一陶瓷层中的介层窗连接。19.一种具有支撑于内部之垫的多层陶瓷基材,至少包括:一第一陶瓷层,具有复数个填入介层窗以及一外部表面;一第二陶瓷层,邻接于该第一陶瓷层,并且具有至少一填入介层窗;至少一内部衬垫,介于该第一陶瓷层与该第二陶瓷层之间,并且跟在第一陶瓷层之复数个填入介层窗以及在第二陶瓷层之至少一填入介层窗连接;复数个介层窗柱,从该第一陶瓷层之外部表面延伸,该些介层窗柱跟该第一陶瓷层之该些填入介层窗连接;以及至少一衬垫,附着于该些介层窗柱。20.如申请专利范围第19项所述之多层陶瓷基材,其中该些介层窗柱包括至少容积百分之80之金属材质,且剩余为陶瓷材质。21.如申请专利范围第20项所述之多层陶瓷基材,其中该金属材质系选自于由铜、铜的合金、镍与银所组成族群中的材料。22.如申请专利范围第19项所述之多层陶瓷基材,其中附着于该些介层窗柱之该外部衬垫包括至少容积百分之50之金属材质,且剩余为陶瓷材质。23.如申请专利范围第19项所述之多层陶瓷基材,其中该些填入介层窗包括容积百分之30至70之金属材质,剩余为陶瓷材质。24.如申请专利范围第19项所述之多层陶瓷基材,其中该内部衬垫包括容积百分之30至90之金属材质,剩余为陶瓷材质。25.如申请专利范围第19项所述之多层陶瓷基材,其中在该第一陶瓷层与附着于该些介层窗柱之衬垫之间的空间并无陶瓷材质。26.一种具有支撑于内部之垫的多层陶瓷基材,至少包括:一陶瓷层,具有至少一填入介层窗以及一外部表面;一内部衬垫,附着于该陶瓷层之外部表面,并且与在陶瓷层之至少一填入介层窗连接;复数个介层窗柱,从该内部衬垫延伸;以及一外部衬垫,附着于该些介层窗柱。27.如申请专利范围第26项所述之多层陶瓷基材,其中该些介层窗柱至少包括容积百分之80之金属材质,且剩余为陶瓷材质。28.如申请专利范围第27项所述之多层陶瓷基材,其中该金属材质系选自于由铜、铜的合金、镍与银所组成之族群中的材料。29.如申请专利范围第26项所述之多层陶瓷基材,其中外部衬垫包括至少容积百分之80之金属材质,剩余为陶瓷材质。30.如申请专利范围第26项所述之多层陶瓷基材,其中在该第陶瓷层之至少一填入介层窗包括容积百分之30至70之金属材质,且剩余为陶瓷材质。31.如申请专利范围第26项所述之多层陶瓷基材,其中该内部衬垫包括容积百分之30至70之金属材质,且剩余为陶瓷材质。32.如申请专利范围第26项所述之多层陶瓷基材,其中在内部衬垫与外部衬垫之间的空间没有陶瓷材质。33.一种具有支撑于内部之垫的多层陶瓷基材的形成方法,该方法至少包括下列步骤:形成一第一陶瓷生胚片,该第一陶瓷生胚片具有复数个介层窗;在该至少一介层窗内屏蔽形成一金属导电糊材质,根据该导电糊材质之固体含量,该金属导电糊材质包括至少容积百分之80之金属材质,剩余为陶瓷材质;在该第一陶瓷生胚片上屏蔽形成一金属导电糊材质以形成一I/O衬垫,根据该导电糊材质之固体含量,该金属导电糊材质包括至少容积百分之80之金属材质,剩余为陶瓷材质;形成一第二陶瓷生胚片,该第二陶瓷生胚片具有至少一介层窗;在该第二陶瓷生胚片之至少一介层窗内屏蔽形成一金属导电糊材质,根据该导电糊材质之固体含量,该金属导电糊材质包括容积百分之30至70之金属材质,剩余为陶瓷材质;在该第一或第二陶瓷生胚片上屏蔽形成一金属导电糊材质以形成一内部I/O衬垫,根据该导电糊材质之固体含量,该金属导电糊材质包括容积百分之30至70之金属材质,剩余为陶瓷材质;堆叠该第一与第二生胚片以形成一未烧结之多层陶瓷基材,其中该I/O衬垫在该未烧结之多层陶瓷基材的外部,该内部衬垫介于该第一与第二陶瓷生胚片之间,并且在该第一陶瓷生胚片之每一介层窗跟在第二陶瓷生胚片之介层窗或内部接触衬垫连接;以及烧结该未烧结之多层陶瓷基材,形成一烧结之多层陶瓷基材,该烧结之多层陶瓷基材具有一I/O衬垫,附着于该第一陶瓷层之至少一介层窗,但是并不附着于多层陶瓷基材之陶瓷材质。34.一种具有支撑于内部之垫的多层陶瓷基材的形成方法,该方法至少包括下列步骤:形成一第一陶瓷生胚片,该第一陶瓷生胚片具有至少一介层窗,该第一陶瓷生胚片包括陶瓷材质,选择该陶瓷材质,使其在该多层陶瓷基材之一预定烧结温度下不会烧结;在该第一陶瓷生胚片之至少一介层窗内屏蔽形成一金属导电糊材质,根据该导电糊材质之固体含量,该金属导电糊材质包括至少容积百分之80之金属材质,剩余为陶瓷材质;在该第一陶瓷生胚片上屏蔽形成一金属导电糊材质以形成一外部衬垫,根据该导电糊材质之固体含量,该金属导电糊材质包括至少容积百分之80之金属材质,剩余为陶瓷材质;形成一第二陶瓷生胚片,该第二陶瓷生胚片具有至少一介层窗;在该第二陶瓷生胚片之至少一介层窗内屏蔽形成一金属导电糊材质,根据该导电糊材质之固体含量,该金属导电糊材质包括容积百分之30至70之金属材质,剩余为陶瓷材质;形成一第三陶瓷生胚片,该第三陶瓷生胚片具有至少一介层窗;在该第三陶瓷生胚片之至少一介层窗内屏蔽形成一金属导电糊材质,根据该导电糊材质之固体含量,该金属导电糊材质包括容积百分之30至70之金属材质,剩余为陶瓷材质;在该第二或第三陶瓷生胚片上屏蔽形成一金属导电糊材质以形成一内部衬垫,根据该导电糊材质之固体含量,该金属导电糊材质包括容积百分之30至70之金属材质,剩余为陶瓷材质;堆叠该第一、第二与第三陶瓷生胚片以形成一未烧结之多层陶瓷基材,其中该外部衬垫在该未烧结之多层陶瓷基材的外部,并且该内部衬垫介于该第二与第三陶瓷生胚片之间;以及在一预定温度下烧结该未烧结之多层陶瓷基材,当该第二与第三陶瓷生胚片烧结时,该第一陶瓷生胚片并未烧结;在该第一陶瓷生胚片烧结之前,移除该未烧结之陶瓷材质,留下该第一陶瓷生胚片之至少一介层窗,使得一烧结之多层陶瓷基材具有一衬垫只附着于该第一陶瓷生胚片之至少一介层窗,并且跟多层陶瓷基材之陶瓷材质分隔。35.一种具有支撑于内部之垫的多层陶瓷基材的形成方法,该方法至少包括下列步骤:形成一第一陶瓷生胚片,该第一陶瓷生胚片具有至少一介层窗,该第一陶瓷生胚片包括陶瓷材质,选择该陶瓷材质,使其在该多层陶瓷基材之一预定烧结温度下不会烧结;在该第一陶瓷生胚片之至少一介层窗内屏蔽形成一金属导电糊材质,根据该导电糊材质之固体含量,该金属导电糊材质包括至少容积百分之80之金属材质,剩余为陶瓷材质;在该第一陶瓷生胚片上屏蔽形成一金属导电糊材质以形成一外部衬垫,根据该导电糊材质之固体含量,该金属导电糊材质包括至少容积百分之80之金属材质,剩余为陶瓷材质;形成一第二陶瓷生胚片,该第二陶瓷生胚片具有至少一介层窗;在该第二陶瓷生胚片之至少一介层窗内屏蔽形成一金属导电糊材质,根据该导电糊材质之固体含量,该金属导电糊材质包括容积百分之30至70之金属材质,剩余为陶瓷材质;在该第一或第二陶瓷生胚片上屏蔽形成一金属导电糊材质以形成一内部衬垫,根据该导电糊材质之固体含量,该金属导电糊材质包括容积百分之30至70之金属材质,剩余为陶瓷材质;堆叠该第一与第二陶瓷生胚片以形成一未烧结之多层陶瓷基材,其中该外部衬垫在该未烧结之多层陶瓷基材的外部,并且该内部衬垫介于该第一与第二陶瓷生胚片之间;以及在一预定温度下烧结该未烧结之多层陶瓷基材,当该第二陶瓷生胚片烧结时,该第一陶瓷生胚片并未烧结;在该第一陶瓷生胚片烧结之前,移除该未烧结之陶瓷材质,留下该第一陶瓷生胚片之至少一介层窗,使得一烧结之多层陶瓷基材具有一衬垫只附着于该第一陶瓷生胚片之至少一介层窗,并且跟多层陶瓷基材之内部衬垫与陶瓷材质分隔。图式简单说明:第1图为本发明之第一实施例,以及第一实施例的制作方法。第2图为本发明之第二实施例,以及第二实施例的制作方法。第3图为本发明之第三实施例,以及第三实施例的制作方法。第4图为本发明之第四实施例,以及第四实施例的制作方法。第5图为本发明之第五实施例,以及第五实施例的制作方法。第6图为本发明之第六实施例,以及第六实施例的制作方法。第7图为本发明之第七实施例,以及第七实施例的制作方法。 |
