| 主权项 |
1.一种微机器堆叠线结封装结构,其包含:一第一晶片,其具有一活性区于该第一晶片之第一表面;一第二晶片,其具有一第一表面与一第二表面,该第二晶片更包含一第一连结垫于该第二晶片之第二表面;及一珠状物,用以固定该第二晶片之该第一表面至该第一晶片之该第一表面。2.如申请专利范围第1项之结构,其中该活性区系一微机器区。3.如申请专利范围第2项之结构,其中该第一晶片系一微机器晶片。4.如申请专利范围第3项之结构,其中该第二晶片系一控制器晶片。5.如申请专利范围第1项之结构,其中该珠状物系包围该活性区,环绕该活性区之周围。6.如申请专利范围第5项之结构,其中该珠状物系连接至该第二晶片之该第一表面之周围。7.如申请专利范围第6项之结构,其中该珠状物,该第一晶片与该第二晶片形成一围件,该活性区位于该围件所定义的一凹处中。8.如申请专利范围第1项之结构,其中该第二晶片系以一线结架构装设至该第一晶片。9.如申请专利范围第1项之结构,更包含相邻于该第一晶片之第一导线。10.如申请专利范围第9项之结构,其中该第一连结垫系电连接至该第一导线。11.如申请专利范围第10项之结构,其中该第一连结垫系藉由一第一连结线以电连接至该第一导线。12.如申请专利范围第11项之结构,更包含一哑连结垫于该第一晶片之该第一表面,该第一连结线物理上连接至该哑连结垫。13.如申请专利范围第12项之结构,其中该第一连结线系介于该第一导线与该第一连结垫之间,以物理上连接至该哑连结垫。14.如申请专利范围第10项之结构,其中该第一连结垫系藉由一第一连结线与一第二连结线,电连接至该第一导线。15.如申请专利范围第14项之结构,更包含一哑连结垫于该第一晶片之该第一表面,连接至该第一导线与该哑连结垫之该第一连结线,连接至该哑连结垫与该第一连结垫之该第二连结线。16.如申请专利范围第9项之结构,更包含一第二连结垫于该第一晶片之该第一表面,藉由第一连结线电连接至该第一导线之该第二连结垫。17.如申请专利范围第16项之结构,更包含电连接该第一连结垫至该第二连结垫之一第二连结线。18.如申请专利范围第16项之结构,其中该第一导线更藉由该第一连结线,电连接至该第一连结垫。19.如申请专利范围第1项之结构,更包含一导线架,其具有一附模垫,连接至该附模垫之该第一晶片之第二表面。20.如申请专利范围第1项之结构,更包含一基材,连接至该基材之该第一晶片之第二表面。21.如申请专利范围第1项之结构,更包含一封装体包围该第一晶片,该珠状物与该第二晶片。22.一种微机器堆叠线结封装方法,其包含:施用一珠状物至一第一晶片之第一表面,围绕在该第一表面之一活性区之周围;以及连接该珠状物与一第二晶片之一第一表面,该第二晶片更包含一第二表面,其具有一第一连结垫。23.如申请专利范围第22项之方法,其中该珠状物,该第一晶片与该第二晶片形成一围件,该活性区位于藉由该围件所定义之一凹处中。24.如申请专利范围第22项之方法,其中该活性区系一微机器区。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该第一晶片系一微机器晶片。26.如申请专利范围第25项之方法,其中该第二晶片系一控制器晶片。27.如申请专利范围第22项之方法,更包含电连接该第一连结垫至该第一导线。28.如申请专利范围第27项之方法,更包含于该第一晶片之该第一表面,电连接该第一导线至一第二连结垫。29.如申请专利范围第22项之方法,更包含电连接一第二连结垫于该第一晶片之该第一表面至一第一导线。30.如申请专利范围第22项之方法,其中该第二晶片系藉由该珠状物固定至该第一晶片。31.如申请专利范围第22项之方法,其中该珠状物包含焊料玻璃。32.如申请专利范围第22项之方法,其中该珠状物包含环氧化合物。33.一种用于保护一第一晶片之第一表面中一活性区之方法,其包含:施用一珠状物至一第二晶片之第一表面,该第二晶片包含一第一连结垫于该第二晶片之一第二表面;定位该第二晶片于该活性区之上;以及连接该珠状物至该第一晶片之该第一表面。34.如申请专利范围第33项之方法,其中该珠状物,该第一晶片与该第二晶片形成一围件,该活性区位于藉由该围件所定义之一凹处中。35.如申请专利范围第33项之方法,其中该活性区系一微机器区。36.如申请专利范围第35项之方法,其中该第一晶片系一微机器晶片。37.如申请专利范围第36项之方法,其中该第二晶片系一控制器晶片。38.如申请专利范围第33项之方法,更包含电连接该第一连结垫至该第一导线。39.如申请专利范围第33项之方法,更包含电连接该第一导线至一第二连结垫于该第一晶片之该第一表面。40.如申请专利范围第33项之方法,更包含电连接位于该第一晶片之该第一表面之一第二连结垫至一第一导线。41.如申请专利范围第33项之方法,其中该第二晶片系藉由该珠状物固定至该第一晶片。42.如申请专利范围第33项之方法,其中该珠状物包含焊料玻璃。43.如申请专利范围第33项之方法,其中该珠状物包含环氧化合物。44.一种微机器堆叠线结封装结构,其包含:一第一晶片,其具有一活性区于该第一晶片之第一表面;一第一轨迹于该第一表面;一第二晶片,其具有一第一连结垫于该第二晶片一第一表面,该第一连结垫物理上连接至该第一轨迹。45.如申请专利范围第44项之结构,其中该第二晶片装设于一覆晶结构中而在该第一晶片。46.如申请专利范围第44项之结构,其中该第一连结垫系藉由一第一覆晶块,物理上连接至该第一轨迹。47.如申请专利范围第44项之结构,其中该第一覆晶块之形成材料,系选自于焊料,金,电性导体的环氧化合物之糊状物,以及电性导体的环氧化合物膜。48.如申请专利范围第46项之结构,更包含一珠状物包围该覆晶块。49.如申请专利范围第44项之结构,其中该第一连结垫系直接连接至该第一轨迹。50.如申请专利范围第44项之结构,更包含一第二连结垫于该第一晶片之该第一表面。51.如申请专利范围第50项之结构,更包含一导线电连接至该第二连结垫。52.如申请专利范围第50项之结构,其中该第一轨迹系电连接至该第二连结垫。53.如申请专利范围第52项之结构,其中该第一轨迹与该第二连结垫为一体成形。54.如申请专利范围第52项之结构,更包含一导线电连接至该第二连结垫。55.如申请专利范围第44项之结构,更包含一导线电连接至该第一轨迹。56.如申请专利范围第44项之结构,更包含一珠状物延伸于该第一晶片之该第一表面与该第二晶片之该第一表面之间。57.如申请专利范围第56项之结构,其中该珠状物延伸环绕于该第一活性区之周围。58.如申请专利范围第57项之结构,其中该第一晶片,该第二晶片与该珠状物形成一围件,其定义一凹处,该活性区位于该凹处之中。59.如申请专利范围第58项之结构,更包含一第二活性区于该第二晶片之该第一表面,该第二活性区位于该凹处之中。60.如申请专利范围第44项之结构,更包含一第二活性区于该第二晶片之该第一表面。61.一种微机器堆叠线结封装结构,其包含:一第一晶片,其具有一第一表面;一第一轨迹于该第一表面;一第二晶片,其具有一第一连结垫与一活性区于该第二晶片之第一表面,该第一连结垫为物理上连接至该第一轨迹。62.如申请专利范围第61项之结构,更包含一珠状物延伸于该第一晶片与该第二晶片之间,该第一晶片,该第二晶片与该珠状物形成一围件,其定义一凹处,该活性区位于该凹处之中。63.一种用于保护一第一活性区于一第一晶片之一第一表面之方法,其包含:使一第二晶片之第一表面上一第一连结垫,对齐于该第一晶片之该第一表面之一第一轨迹;以及物理上连接该第一连结垫至该第一轨迹。64.如申请专利范围第63项之方法,其中该物理上连接包含:形成一覆晶块于该第一连结垫;以及重流该覆晶块。65.如申请专利范围第63项之方法,其中该物理上连接包含:形成一覆晶块于该第一轨迹;以及重流该覆晶块。66.如申请专利范围第63项之方法,其中该第一连结垫系藉由一覆晶块,物理上连接至该第一轨迹。67.如申请专利范围第66项之方法,其中该覆晶块之形成材料,系选自于焊料,金,电性导体的环氧化合物之糊状物,以及电性导体的环氧化合物膜。68.如申请专利范围第63项之方法,其中该物理上连接包含直接连接该第一连结垫至该第一轨迹。69.如申请专利范围第68项之方法,其中该物理上连接包含热压缩连结该第一连结垫至该第一轨迹。70.如申请专利范围第63项之方法,更包含形成一珠状物环绕于该第二晶片之周围。71.如申请专利范围第70项之方法,其中该形成一珠状物包含分配一有限的流体物质环绕该第二晶片,其中该有限的流体物质被轻倒于该第一晶片与该第二晶片之间;以及固化该有限的流体物质。72.如申请专利范围第71项之方法,其中该有限的流体物质包含一液体包装物。73.如申请专利范围第70项之方法,其中该第一晶片,该第二晶片与该珠状物形成一围件,其定义一凹处,该活性区位于该凹处之中。74.如申请专利范围第73项之方法,其中该第二晶片包含一第二活性区于该第二晶片之该第一表面,该第二活性区位于该凹处之中。75.如申请专利范围第63项之方法,其中该活性区系一微机器区。76.如申请专利范围第75项之方法,其中该第一晶片系一微机器晶片。77.如申请专利范围第76项之方法,其中该第二晶片系一控制器晶片。78.一种形成具有一第一晶片与一第二晶片的封装之方法,该方法包含:使该第二晶片之第一表面上的排列一第一连结垫,对齐于该第一晶片之该第一表面之一第一轨迹,一活性区于该第二晶片之第一表面中;以及物理上连接该第一连结垫至该第一轨迹。图式简单说明:第一图系根据习知技艺复数个微机器封装之形成过程中,一结构之侧视图。第二图A系第一图中该结构于于根据习知技艺更进一步制造阶段中之侧视图。第二图B系第二图A中该结构于于根据习知技艺更进一步制造阶段中之侧视图。第三图系根据习知技艺单一微机器封装之侧视图。第四图系一透视图,显示根据本案切掉一部份的微机器封装。第五图系第四图中沿着V-V线的微机器封装之侧视图。第六图系一透视图,显示根据本案之另一实施例中切掉一部份的微机器封装。第七图系根据第六图沿着VII-VII线的微机器封装之侧视图。第八图系根据本案之一实施例,于形成复数个微机器封装过程之一结构之侧视图。第九图系第八图之结构于进一步制造阶段的侧视图。第十图系根据本案之另一实施例,形成复数个微机器封装过程中一结构之侧视图。第十一图系第十图中该结构于进一步制造阶段的侧视图。第十二图系根据本案之一实施例,一球状格子阵列微机器封装之侧视图。第十三图系根据本案之另一实施例,一球状格子阵列微机器封装之侧视图。 |
