发明名称 解除基材吸附状态的方法及设备
摘要 本发明中提供一种用来解除一基材之吸附状态的一基材支撑座配件及其方法。在一实施例中,一支撑座组件包括一具有一支撑表面的基材支撑座、一第一组抬升插鞘和一或更多个其它抬升插鞘,该等插鞘皆以了移动的方式插设于基材支撑座各处。当这些插鞘位于一启动位置时,第一组抬升栓和该一或更多个其它抬升插鞘会从支撑座表面伸出。在启动位置时,第一组抬升插鞘从支撑座表面伸出之距离较该一或更多个其它抬升插鞘伸出之距离一为大。本发明之另一样态中,所提出者为一种解除基材之吸附状态的方法。在一实施例中,该方法包括从基材支撑座一表面上将第一组抬升插鞘伸出一第一距离、以抬起一基材的一步骤;并包括从该基材支撑座该表面上将该一或更多个其它抬升插鞘伸出一第二距离的步骤,其中该第二距离小于该第一距离。
申请公布号 TW498482 申请公布日期 2002.08.11
申请号 TW090117011 申请日期 2001.07.11
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 尚全远;威廉 R. 哈休巴格;罗伯特 I 葛瑞尼;清水一郎
分类号 H01L21/68 主分类号 H01L21/68
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种用以支撑一工部的支撑座组件,该支撑座组件至少包括:一支撑座组件,具有一支撑座表面;一第一组抬升插鞘,以可移动的方式插设于该支撑座组件各处,当在一启动位置时,该第一组抬升插鞘从该支撑座表面伸出一第一距离;及一第二组抬升插鞘,以可移动的方式插设于该支撑座组件各处,当在一启动位置时,该第二组抬升插鞘从该支撑座表面伸出一第二距离,其中该第一距离比该第二距离为大。2.如申请专利范围第1项所述之支撑座组件,其中该第二组抬升插鞘之设置位置在辐射向上系位于该第一组抬升插鞘的内侧。3.如申请专利范围第1项所述之支撑座组件,其中该第二组抬升插鞘至少包括一抬升插鞘。4.如申请专利范围第1项所述之支撑座组件,其中该第二组抬升插鞘更包括两抬升插鞘,该两抬升插鞘位于该支撑座组件一中心的相对侧上。5.如申请专利范围第1项所述之支撑座组件,其中该第一组抬升插鞘至少包括三或更多个抬升插鞘。6.如申请专利范围第1项所述之的支撑座组件,其中该第一组抬升插鞘至少包括八个抬升插鞘。7.如申请专利范围第1项所述之支撑座组件,其中该八个抬升插鞘更包含:四对抬升插鞘,被设置于一四边形基材之每一边的近处。8.如申请专利范围第1项所述之的支撑座组件,其中该第一组抬升插鞘具有一第一长度,该第一长度较该第二组抬升插鞘所具有的第二长度为长。9.如申请专利范围第8项所述之的支撑座组件,其中该第一长度至少较该第二长度长2mm。10.如申请专利范围第1项所述之的支撑座组件,其中更包括:一抬升盘,设置于该支撑座之支撑表面的另一面上。11.如申请专利范围第10项所述之的支撑座组件,其中该抬升盘更包括:一中心部份;及一缘,从该中心部份突出。12.如申请专利范围第11项所述之的支撑座组件,其中该中心部份用以接触该第二组抬升插鞘,而该边缘则用以接触该第一组抬升插鞘。13.如申请专利范围第1项所述之支撑座组件,其中该第一组抬升插鞘用以将该基材支撑于与该支撑座表面相隔之位置上,当该第二组抬升插鞘未接触该基材之时。14.一种用以支撑一工部的支撑座组件,该支撑座组件至少包括:一支撑座组件,具有一支撑座表面;一第一组抬升插鞘,以可移动的方式插设于该支撑座组件各处,当在一启动位置时,该第一组抬升插鞘从该支撑座表面伸出一第一距离;及一第二组抬升插鞘,以可移动的方式插设于该支撑座组件各处,当在一启动位置时,该第二组抬升插鞘从该支撑座表面伸出一第二距离,其中该第一距离较该第二距离为大。15.一种半导体处理室,该处理室至少包括:一处理室;一支撑座组件,具有一支撑座表面;一第一组抬升插鞘,以可移动的方式插设于该支撑座组件各处,当在一启动位置时,该第一组抬升插鞘从该支撑座表面伸出一第一距离;及一第二组抬升插鞘,以可移动的方式插设于该支撑座组件各处,当在一启动位置时,该第二组抬升插鞘从该支撑座表面伸出一第二距离,其中该第一距离较该第二距离为大。16.如申请专利范围第15项所述之处理室,其中该第二组抬升插鞘设置之位置在辐射上系在该第一组抬升插鞘之内侧。17.如申请专利范围第15项所述之处理室,其中该第二组抬升插鞘还包括两抬升插鞘,该两抬升插鞘之位置在该支撑座组件一中心之相对侧上。18.如申请专利范围第15项所述之处理室,其中该第一组抬升插鞘至少包括三或更多个抬升插鞘。19.如申请专利范围第15项所述之处理室,其中该第一组抬升插鞘具有一第一长度,较该第二组抬升插鞘具有之第二长度为长。20.如申请专利范围第15项所述之处理室,其中更包括:一抬升盘,设置于该支撑座之支撑座表面的相反面上。21.如申请专利范围第20项所述之处理室,其中该抬升盘更包括:一中心部份;及一缘,从该中心部份突出。22.如申请专利范围第15项所述之处理室,其中该第一组抬升插鞘用以将该基材支撑于与该支撑座表面相隔之位置上,当该第二组抬升插鞘未接触该基材之时。23.如申请专利范围第15项所述之处理室,其中该处理室为一化学气相沈积处理室。24.如申请专利范围第15项所述之处理室,其中该处理室更包括:一盖子,具有一排气空间于其中。25.一种解除一基材之吸附状态的方法,该方法至少包括下列步骤:从一基材支撑座的一表面上伸出一第一组抬升插鞘以一第一距离;及从该基材支撑座的表面上伸出一第二组抬升插鞘以一第二距离,其中该第二距离小于该第一距离。26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中所伸出之距离的差値至少为2mm。27.如申请专利范围第25项所述之方法,其中更包括下列步骤:以第一组抬升插鞘接触一基材,并使该基材弯曲;及抬起该基材,以使该基材与该支撑座相隔一距离,且该第二组抬升插鞘并未接触该基材。28.如申请专利范围第25项所述之方法,其中更包括下列步骤:藉由复数个抬升插鞘接触一基材,使该基材在该复数个抬升插鞘之间形成一弯曲区域;及利用该第二组抬升插鞘接触该基材的弯曲区域。29.如申请专利范围第25项所述之方法,该方法更包括下列步骤:致动一抬升盘,以在接触其它抬升插鞘之前先接触该第一组抬升插鞘。30.如申请专利范围第25项所述之方法,其中更包括下列步骤:致动一抬升盘,以在接触其它抬升插鞘之前、先以从该抬升盘之一中心部份突出的一缘接触该第一组抬升插鞘。图式简单说明:第1图描绘本发明之处理室之一实施例的一局部剖面图。第2A图为一基材之一实施例的一局部放大剖面图,其中该基材正从一基材支撑座上抬起。第2B图为一基材之一实施例的一局部放大剖面图,其中该基材正从一基材支撑座上抬起,且该基材弯曲的程度甚于其正常下垂程度。第3图为一基材之一实施例的一局部放大剖面图,其中该基材正处于支撑座上方之一抬升位置。第4图为一解除吸附过程的流程图。第5图为一基材之另一实施例的一局部剖面图,其中该基材正从一基材支撑座上抬升。
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