| 主权项 |
1.一种卷带式球格阵列封装,至少包括:一卷带,具有:一介电层,具有一第一面及对应之一第二面,并具有复数个贯孔,其贯穿该介电层,图案化之一第一金属层,配置于该第一面,并封闭该些贯孔之一端,而成为复数个盲孔,图案化之一第二金属层,配置于该第二面,并暴露出该些盲孔之一端;图案化之一第一焊罩层,配置于该第一金属层之上,并暴露出部分该第一金属层,而形成复数个接点;图案化之一第二焊罩层,配置于该第二金属层之上,并暴露出部分该第二金属层及该些盲孔之一端;复数个焊球,分别配置于该些盲孔之中,且该些焊球之一端系突出超过该第二焊罩层之表面,其中该些焊球系与该第一金属层相电性连接,且至少该些焊球之一系与该第二金属层相电性连接;以及至少一晶片,配置于该第一面之上,并与该些接点相电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之卷带式球格阵列封装,其中该介电层之材质包括聚乙醯胺。3.如申请专利范围第1项所述之卷常式球格阵列封装,其中该第二金属层系作为电源层及接地层其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之卷带式球格阵列封装,其中该第一金属层系作为讯号层。5.如申请专利范围第1项所述之卷带式球格阵列封装,其中该第一金属层及该第二金属层之材质包括铜。6.如申请专利范围第1项所述之卷带式球格阵列封装,其中该第一金属层之表面及底面与该第二金属层之表面分别具有一合金层。7.如申请专利范围第6项所述之卷带式球格阵列封装,其中该些合金层之材质包括镍金合金及铅锡合金其中之一。8.如申请专利范围第1项所述之卷带式球格阵列封装,其中该晶片具有一主动表面及对应之一背面,且该晶片更具有复数个焊垫,其位于该主动表面。9.如申请专利范围第8项所述之卷带式球格阵列封装,更包括复数个导线及一封装材料,其中该晶片系以该背面贴附于该第一焊罩层之上,而该些导线系分别连接该些焊垫及该些接点,且该封装材料系包覆该晶片、该些导线及该些接点。10.如申请专利范围第9项所述之卷带式球格阵列封装,更包括一支撑层,配置于该第一焊罩层之上,并环绕于该封装材料之外围。11.如申请专利范围第8项所述之卷带式球格阵列封装,其中该晶片更具有复数个凸块,其分别突出于该些焊垫之上,而该些凸块系分别对应接合于该些接点。12.如申请专利范围第11项所述之卷带式球格阵列封装,更包括一底胶,其包覆该些焊垫、该些凸块及该些接点。13.如申请专利范围第11项所述之卷带式球格阵列封装,更包括一支撑层,配置于该第一焊罩层之上,并环绕于该晶片之外围。14.一种卷带式球格阵列封装之制程,至少包括:提供一卷带,其具有一介电层、一第一金属层及一第二金属层,其中该介电层具有一第一面及对应之一第二面,而该第一金属层系位于该第一面,而该第二金属层系位于该第二面;图案化该第一金属层及该第二金属层;形成复数个盲孔于该卷带,其中该盲孔系贯穿该第二金属层及该介电层,而止于该第一金属层;分别形成图案化之一第一焊罩层及图案化之一第二焊罩层于该第一金属层及该第二金属层之上,其中该第一焊罩层系暴露出部分该第一金属层而形成复数个接点,且该第二焊罩层暴露出部分该第二金属层及该些盲孔之一端;形成复数个焊球于该些盲孔之中,且该些焊球之一端系突出超过该第二焊罩层之表面,而该些焊球系与该第一金属层相电性连接,且至少该些焊球之一系与该第二金属层相电性连接;以及配置至少一晶片于该第一面之上,并电性连接该晶片至该些接点。15.如申请专利范围第14项所述之卷带式球格阵列封装之制程,其中该介电层之材质包括聚乙醯胺。16.如申请专利范围第14项所述之卷带式球格阵列封装之制程,其中该第一金属层及该第二金属层之材质包括铜。17.如申请专利范围第14项所述之卷带式球格阵列封装之制程,其中该第二金属层系作为电源层及接地层其中之一。18.如申请专利范围第17项所述之卷带式球格阵列封装之制程,其中该第一金属层系作为讯号层。19.如申请专利范围第14项所述之卷带式球格阵列封装之制程,其中图案化该第一金属层及该第二金属层之方法包括微影蚀刻。20.如申请专利范围第14项所述之卷带式球格阵列封装之制程,其中图案化该第一金属层及该第二金属层之后,更包括分别形成一合金层于该第一金属层之表面及底面与该第二金属层之表面。21.如申请专利范围第20项所述之卷带式球格阵列封装之制程,其中形成该些合金层之方法包括电镀。22.如申请专利范围第20项所述之卷带式球格阵列封装之制程,其中形成该些合金层之方法包括化学电镀。23.如申请专利范围第20项所述之卷带式球格阵列封装之制程,其中形成该些合金层之方法包括无电极电镀。24.如申请专利范围第20项所述之卷带式球格阵列封装之制程,其中该些合金层材质包括镍金合金及铅锡合金其中之一。25.如申请专利范围第14项所述之卷带式球格阵列封装之制程,其中形成复数个盲孔于该卷带之方法包括微影蚀刻、雷射烧孔及电浆蚀孔其中之一。26.如申请专利范围第14项所述之卷带式球格阵列封装之制程,其中形成图案化之该第一焊罩层及图案化之该第二焊罩层的方法包括分别涂布该第一焊罩层及该第二焊罩层于该第一金属层及该第二金属层之上,并分别曝光显影该第一焊罩层及该第二焊罩层。27.如申请专利范围第14项所述之卷带式球格阵列封装之制程,其中该晶片电性连接至该第一金属层之方法包括以打线的方式。28.如申请专利范围第14项所述之卷带式球格阵列封装之制程,其中该晶片电性连接至该第一金属层之方法包括以覆晶的方式。图式简单说明:第1图为习知之一种卷带式球格阵列式封装的剖面示意图;第2A-2H图依序为本发明之较佳实施例之卷带式球格阵列封装的剖面流程图;以及第3图为本发明之另一较佳实施例之卷带式球格阵列封装的剖面示意图。 |
