| 主权项 |
1.一种电子束补正方法,系以复数个标的(mark)补正复数个电子束的照射位置者,其特征在于包括:一标的(mark)位置检出阶段,系用该复数个电子束中的一个电子束,照射该复数个标的(mark),以检出对该一个电子束的照射位置之该复数个标的(mark)的相对标的(mark)位置者;一照射位置检出阶段,系由该复数个电子束,照射该复数个标的(mark)中之一个标的(mark),以检出对该一个标的(mark)之该复数个电子束的相对照射位置者;一算出阶段,系依根据所检出的该复数个标的(mark)之该标的(mark)位置,及所检出的该复数个电子束的该照射位置,以算出补正该复数个电子束的该照射位置的补正値者。2.如申请专利范围第1项所述之电子束补正方法,其特征在于,该标的(mark)位置检出阶段,包含:一基准标的(mark)检出阶段,系在该复数个标的(mark)中,以所期望的标的(mark)为基准标的(mark),检出对该基准标的(mark)之其他标的(mark)的相对标的(mark)位置者。3.如申请专利范围第1项所述之电子束补正方法,其特征在于,该标的(mark)位置检出阶段,包含:一尺寸检出阶段,系在该复数个标的(mark)中,以所期望的标的(mark)为基准标的(mark),以检出对该基准标的(mark)之其他标的(mark)的相对尺寸者。4.如申请专利范围第2项所述之电子束补正方法,其特征在于,该照射位置检出阶段,包含:一基准照射位置检出阶段,系在该复数个电子束中,以所期望的电子束之照射位置为基准照射位置,由该复数个电子束照射该基准标的(mark),以检出对该基进照射位置的其他电子束之相对照射位置者。5.如申请专利范围第4项所述之电子束补正方法,其特征在于,该算出阶段,包含:一基准算出阶段,系根据对该基准标的(mark)之该其他标的(mark)的相对该标的(mark)位置,和对该基准照射位置的该其他电子束之相对该照射位置,以算出补正该复数个电子束的该照射位置之该补正値者。6.如申请专利范围第1项所述之电子束补正方法,其特征更在包括:一照射阶段,为该复数个标的(mark)系设在该复数个电子束的各个电子束所对应的位置,用该补正値补正该复数个电子束的该照射位置以照射该复数个电子束的各个所对应之该标的(mark)者;一照合位置检出阶段,系在该照射阶段,检出照射该标的(mark)之该电子束的照射位置者;一照合阶段,系在该照合位置检出阶段,将所检出的各电子束的该照射位置,和该标的(mark)检出位置照和以判断该补正値,是否正确适当者。7.如申请专利范围第6项所述之电子束补正方法,其特征在于,用该复数个电子束,每在进行所定次数的曝光处理时,具有使该照和位置检出阶段,和该照合阶段重复的阶段者。8.如申请专利范围第1项所述之电子束补正方法,更在包括:一载置台(stage)位置补正阶段,系补正载置,设该复数个标的(mark)的基准晶圆(wafer)之晶圆载置台(waferstage)的载置台(stage)位置者;其特征在于:该标的(mark)位置检出阶段,系以补正的该载置台(stage)位置为基准,检出该复数个标的(mark)之相对该标的(mark)位置者。9.一种电子束曝光装置,系以电子束使晶圆(wafer)曝光者,其特征在于包括:一晶圆载置台(wafer stage),系载置有复数个标的(mark)之基准晶圆;复数个电子铳,系发生复数个电子束者;一偏向部,系使该电子束偏向,以便可照射该标的(mark);一电子检出部,系检出照射该标的(mark)的该电子束之反射电子者;一标的(mark)位置检出部,系根据该电子检出部所输出的电气信号,在该复数个电子束中,由一个电子束照射该复数个标的(mark),以检出对一个电子束的照射位置之该复数个标的(mark)之相对标的(mark)位置者;一照射位置检出部,系根据该电子检出部所输出的电气信号,由该复数个电子束照射该复数个标的(mark)中的一个标的(mark),以检出对一个标的(mark)之该复数个电子束的相对照射位置者;一算出部,系根据该复数个标的(mark)之该位置,和该复数个电子束的该照射位置以算出补正该复数个电子束的该照射位置之补正値者。10.如申请专利范围第9项所述之电子束曝光装置,其特征在于,该复数个电子束的照射位置的间隔,在实质上等于该复数个标的(mark)之间隔者。图式简单说明:图1表示本发明的一实施形态的电子束(beam)曝光装置100的构成图。图2表示在电子束(beam)曝光装置100,校正处理电子束(beam)的照射位置之流程图(flow chart)。图3A至图3B表示电子铳104的配置例及配置复数个标的(mark)47的基准晶图(wafer)45的一例之图。图4A至图4D表示在载置台(stage)位置补正(S12)、标的(mark)位置检出(S14)、及标的(mark)大小检出(S16)与电子束(beam)发生部10,及基准晶图(wafer)45的位置关系图。图5A至图5D表示在照射位置检出(S18)与电子束(beam)发生部10及基准晶图(wafer)45的位置关系图。图6表示在照合位置检出(S24)与电子束(beam)发生部10及基准晶圆(wafer)45的位置关系图。 |
