| 主权项 |
1.一种高速低电流比较器,包含:第一对互补金氧半电晶体,包含一第一P型电晶体及第一N型电晶体,且该第一P型电晶体及第一N型电晶体之源极连接一讯号输入端;第二对互补金氧半电晶体,包含一第二P型电晶体及第二N型电晶体,且该第二P型电晶体及第二N型电晶体之闸极连接该讯号输入端;一采二极体方式连接之N型金氧半电晶体,具有一闸汲共接端与一源极端,并以此两端串接于该第二对互补金氧半电晶之两汲极之间,且该闸汲共接端连接至该第一N型电晶体之闸极,该源极端连接至该第一P型电晶体之闸极;第三对互补金氧半电晶体,其NMOS电晶体之闸极连接该闸汲共接端,其PMOS电晶体之闸极连接至该源极端;第四对互补金氧半电晶体,其各闸极共同连接该第三对互补金半电晶体之各汲极;以及第五对互补金氧半电晶体,其各闸极共同连接至该第四对互补金氧半电晶体之各汲极,且各汲极共接一输出端。2.如申请专利范围第1项之比较器,还包含一调整用N通道型金氧半电晶体与一调整用P通道型金氧半电晶体,该两调整用电晶体之各汲极分别串接该第四对互补金氧半电晶体之各源极,且各闸极可供施加调变电压。3.如申请专利范围第1项之比较器,其中该第三对互补金氧半电晶体之输出端连接至少一第四对互补金氧半电晶体,第五对或第六对以上之互补金氧半电晶体,可视输出电压变化是否够大,酌与加减。4.一种高速低电流比较器,包含:第一对互补金氧半电晶体,包含一第一P型电晶体及第一N型电晶体,且该第一P型电晶体及第一N型电晶体之源极连接一讯号输入端;第二对互补金氧半电晶体,包含一第二P型电晶体及第二N型电晶体,且该第二P型电晶体及第二N型电晶体之闸极连接该讯号输入端;一采二极体方式连接之P型金氧半电晶体,具有一闸汲共接端与一源极端,并以此两端串接于该第二对互补金氧半电晶体之两汲极之间,且该闸汲共接端连接至该第一P型电晶体之闸极,该源极端连接至该第一N型电晶体之闸极;第三对互补金氧半电晶体,其NMOS电晶体之闸极连接该闸汲共接端,其PMOS电晶体之闸极连接至该源极端;第四对互补金氧半电晶体,其各闸极共同连接该第三对互补金氧半电晶体之各汲极;以及第五对互补金氧半电晶体,其各闸极共同连接至该第四对互补金氧半电晶体之各汲极,且各汲极其接一输出端。5.如申请专利范围第4项之比较器,还包含一调整用N通道型金氧半电晶体与一调整用P通道型金氧半电晶体,该两调整用电晶体之各汲极分别串接该第四对互补金氧半电晶体之各源极,且各闸极可供施加调变电压。6.如申请专利范围第4项之比较器,其中该第三对互补金氧半电晶体之输出端连接至少一第四对互补金氧半电晶体,第五对或第六对以上之互补金氧半电晶体,可视输出电压变化是否够大,酌与加减。图式简单说明:图1为一习知电流比较器之电路图。图2为另一习知电流比较器之电路图。图3为一依据本发明之较佳实施例而成之低电流比较器之电路图。图4为图3所示比较器之一变形例之电路图。图5为图1.图2.和图3所示三种比较器之输入电流与输出电压间之波形比较图。图6为图1至图3所示三种比较器之输入电流相对于延迟时间之分析曲线图。图7为图1至图3所示三种比较器之输入电流相对于平均功率之分析曲线图。图8为图1至图3所示三种比较器于0.1A之输入电流下在5个制程落位中之延迟时间比较长条图。图9为图1至图3所示三种比较器于0.1A之输入电流下在5个制程落位中之功率损耗比较长条图。 |
