| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为具有备置配线层之基板、面朝下地安装于该基板主平面上之半导体晶片、安装于该基板主平面上之被动元件、填充于该半导体晶片主平面与该基板主平面之间隙内之密封树脂、密封该半导体晶片与该被动元件之罩盖、以及填充于该罩盖与该半导体晶片间之热传导材料,其于该被动元件系配置于该密封树脂所附着之区域内,且至少其顶面系经该密封树脂所覆盖。2.一种半导体装置,其特征为具有备置配线层之基板、面朝下地安装于该基板主平面上之半导体晶片、安装于该基板主平面上之被动元件、填充于该半导体晶片主平面与该基板主平面之间隙内之密封树脂、以及经由热传导材料接合于该半导体晶片之顶面上之散热体,其于该被动元件系配置于该密封树脂所附着之区域内,且至少其顶面系经该密封树脂所覆盖。3.根据申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中该热传导材料为导电性材料。4.根据申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中该热传导材料为绝缘性材料。5.根据申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中该被动元件为晶片电容器。6.根据申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中该半导体晶片系经由隆起(bump)电极以安装于该基板之主平面上。7.根据申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中该基板之主平面上系安装数个半导体晶片,而该被动元件系配置于该等数个半导体晶片之间隙内。8.根据申请专利范围第2项之半导体装置,其中该密封树脂系填充于该被动元件与该基板主平面之间隙内。9.一种半导体装置之制造方法,其系具有下述步骤:(a)于备置配线层之基板主平面上,面朝下地安装半导体晶片;(b)于该基板主平面上安装该半导体晶片之区域旁安装被动元件;(c)于该半导体晶片主平面与该基板主平面之间隙内填充密封树脂,并以该密封树脂涂覆该被动元件;以及(d)于该半导体晶片之顶面,经由热传导材料以固定用以密封该半导体晶片与该被动元件之罩盖。10.一种半导体装置之制造方法,其系具有下述步骤:(a)于备置配线层之基板主平面上,面朝下地安装半导体晶片;(b)于该基板主平面上安装该半导体晶片之区域旁安装被动元件;(c)于该半导体晶片主平面与该基板主平面之间隙内填充密封树脂,并以该密封树脂涂覆该被动元件;以及(d)于该半导体晶片之顶面上,经由热传导材料以固定散热体。11.根据申请专利范围第9或10项之半导体装置之制造方法,其中该步骤(c)系具有下述步骤:于该半导体晶片主平面与该基板主平面之间隙内填充第1密封树脂;以及以第2密封树脂涂覆该被动元件。12.根据申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中该半导体晶片之主平面与相反侧之背面并不为该密封树脂所覆盖,而系与该热传导材料直接接触。图式简单说明:图1为本发明一实施型态之半导体装置之平面图。图2为沿图1之Ⅱ-Ⅱ线之截面图。图3为图2之重要部份放大截面图。图4为图示记忆晶片与晶片电容器之连接状态之图。图5为图示本发明一实施型态之半导体装置制造方法之截面图。图6为图示本发明一实施型态之半导体装置制造方法之截面图。图7(a)为晶片电容器之平面图。图7(b)为沿图7(a)之A-A线之截面图。图8为图示本发明一实施型态之半导体装置制造方法之截面图。图9为图示本发明一实施型态之半导体装置制造方法之截面图。图10为图示本发明一实施型态之半导体装置制造方法之截面图。图11为图示本发明一实施型态之半导体装置制造方法之截面图。图12为图示本发明一实施型态之半导体装置制造方法之截面图。图13为图示本发明一实施型态之半导体装置制造方法之截面图。图14为图示本发明另一实施型态之半导体装置之平面图。图15为图示本发明另一实施型态之半导体装置之平面图。图16为图示本发明另一实施型态之半导体装置之截面图。图17为图示本发明另一实施型态之半导体装置之重要部份放大截面图。 |
