| 主权项 |
1.一种增加吸附促进层可润湿性的方法,该方法至少包含:提供一吸附促进层在一半导体底材上,其中该吸附促进层为一种界面活性剂材料;烘烤该吸附促进层以除去在该吸附促进层内的溶剂;以及利用有机溶剂(organic solvent)润湿该吸附促进层使得该吸附促进层的表面的可润湿性增加。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述有机溶剂至少包含1,3,5-三甲基苯(1,3,5-trimethyl benzene)。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述有机溶剂至少包含单甲基醛丙二醇醋酸酯(propylene glycol monomethylether acetate)。4.如申请专利范围第3项之方法,更包含一喷嘴喷洒该有机溶剂到一晶圆片上,其中该晶圆片是处于静止状态。5.如申请专利范围第4项之方法,更包含一喷嘴喷洒该有机溶剂到一晶圆片上,其中该晶圆片是处于旋转状态。6.一种在吸附促进层在预润湿步骤中增加涂布能力的方法,该方法至包含:旋涂一吸附促进层在一底材上,其中该吸附促进层的特性为一种界面活性剂材料;烘烤该吸附促进层以去除在该吸附促进层内的溶剂;以及利用有机溶剂(organic solvent)预润湿该吸附促进层使得该吸附促进层的表面的可润湿性增加。7.如申请专利范围6项之方法,其中上述有机溶剂至少包含1,3,5-三甲基苯(1,3,5-trimethyl benzene)。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述有机溶剂至少包含单甲基醚丙二醇醋酸酯(propylene glycol monomethylether acetate)。9.如申请专利范围第8项之方法,更包含一喷嘴喷洒该有机溶剂到一晶圆片上,其中该晶圆片是处于静止状态。10.如申请专利范围第9项之方法,更包含一喷嘴喷洒该有机溶剂到一晶圆片上,其中该晶圆片是处于旋转状态。11.如申请专利范围第6项之方法,更包含一低介电层旋涂在该吸附促进层上。12.一种增加低介电层涂布能力的方法,该方法至少包含:提供一底材以及一蚀刻终止层在该底材上;旋涂一吸附促进层在该蚀刻终止层上;烘烤该吸附促进层使得在该吸附促进层内的溶剂可以去除以及与该蚀刻终止层键结;利用有机溶剂(organic solvent)预润湿该吸附促进层使得该吸附促进层的表面的可润湿性增加;以及旋涂一有机高分子低介电层在该吸附促进层上。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述有机溶剂至少包含1,3,5-三甲基苯(1,3,5-trimethyl benzene)。14.如申请专利范围第13项之方法,其中上述有机溶剂至少包含单甲基醚丙二醇醋酸酯(propylene glycolmonomethyl ether acetate)。15.如申请专利范围第14项之方法,更包含一喷嘴喷洒该有机溶剂到一晶圆片上,其中该晶圆片是处于静止状态。16.如申请专利范围第15项之方法,更包含一嘴喷洒该有机溶剂到一晶圆片上,其中该晶圆片是处于旋转状态。17.如申请专利范围第12项之方法,更包含一旋涂乾燥步骤在该预润湿该吸附促进层步骤之后。图式简单说明:第一图系根据本发明所揭露之技术在底材上形成蚀刻终止层之截面示意图;第二图系根据本发明所揭露之技术在第一图的结构上形成吸附促进层之截面示意图;以及第三图系根据本发明所揭露之技术在经过预润湿以及烘烤步骤之后在第二图的结构上形成一低介电层之截面示意图。 |
