| 主权项 |
1.一种闸装置,位于一处理基材之真空处理腔室下 游用以捕集由该真空处理腔室排放的气体中所含 具有低蒸气压的成分,该闸装置包含: 一闸容器,用以导入由该真空处理腔室排放的该气 体;以及 一冷却装置,设置于该闸容器内部用以冷却该气体 至等于或低于该气体内所含的容易液化之气体成 分的冷凝温度。2.一种闸装置,位于一处理基材之 真空处理腔室下游用以捕集由该真空处理腔室排 放的气体中所含具有低蒸气压的成分,该闸装置包 含: 一闸容器,用以导入由该真空处理腔室排放的该气 体;以及 一溶剂供应装置,用以供应难以气化的溶剂至该闸 容器内部。3.如申请专利范围第2项之闸装置,其中 该难以气化之溶剂系选自:用作材料溶剂之溶剂, 包括乙酸丁酯、四氢喃或甲基啶;用作材料加 合物之溶剂,包括四乙二醇二甲醚类、甲苯类或四 烯类;或用作材料配体之溶剂,包括二特戊醯基甲 烷。4.一种闸装置,位于一处理基材之真空处理腔 室下游用以捕集由该真空处理腔室排放的气体中 所含具有低蒸气压的成分,该闸装置包含: 一闸容器,用以导入由该真空处理腔室排放的该气 体;以及 一溶剂储存装置,设置于该闸容器内用以储存呈液 态之难以气化之溶剂。5.如申请专利范围第4项之 闸装置,其中该难以气化之溶剂系选自:用作材料 溶剂,之溶剂包括乙酸丁酯、四氢喃或甲基啶 ;用作材料加合物之溶剂,包括四乙二醇二甲醚类 、甲苯类或四烯类;或用作材料配体之溶剂,包括 二特戊醯基甲烷。6.一种薄膜气相沉积装置,包含: 一气化器,用以气化液体材料; 一反应腔室,位于该气化器下游; 一真空帮浦,位于该反应腔室下游;以及 一闸装置,装设于一由该反应腔室伸展至真空帮浦 之抽真空通道内,该闸装置包含: 一闸容器,用以导入由反应腔室排放的气体;以及 一冷却装置,设置于该闸容器内部用以冷却该气体 至等于或低于该气体内所含的容易液化之气体成 分的冷凝温度。7.一种薄膜气相沉积装置,包含: 一气化器,用以气化液体材料; 一反应腔室,位于该气化器下游; 一真空帮浦,位于该反应腔室下游;以及 一闸装置,装设于由该反应腔室伸展至真空帮浦之 抽真空通道内,该闸装置包含: 一闸容器,用以导入由反应腔室排放的气体;以及 一溶剂供应装置,用以供应难以气化的溶剂至该闸 容器内部。8.一种薄膜气相沉积装置,包含: 一气化器,用以气化液体材料; 一反应腔室,位于该气化器下游; 一真空帮浦,位于该反应腔室下游;以及 一闸装置,装设于由该反应腔室伸展至真空帮浦之 抽真空通道内,该闸装置包含: 一闸容器,用以导入由反应腔室排放的气体;以及 一溶剂储存装置,设置于该闸容器内部用以储存呈 液态之难以气化的溶剂。图式简单说明: 第1图为根据本发明之第一具体实施例之闸装置之 示意图; 第2图为根据本发明之第二具体实施例之闸装置之 示意图; 第3图为根据本发明之第三具体实施例之闸装置之 示意图; 第4图为根据本发明之第四具体实施例之闸装置之 示意图; 第5图为根据本发明之第五具体实施例之闸装置之 示意图; 第6图为应用本发明之薄膜气相沉积装置之示意图 ;以及 第7图为习知闸装置之示意图。 |
