| 主权项 |
1.一种半导体装置,其中: 备有:具有排列有多个第1元件电极之主面之第1半 导体元件; 具有排列有多个第2元件电极之主面,且该主面对 峙上述第l半导体元件之上述主面之第2半导体元 件; 电气连接上述第1半导体元件中之上述多个第1元 件电极中之至少几个和上述第2半导体元件中之上 述多个第2元件电极中至少几个之连接部件; 覆盖上述第1半导体元件之上述主面和上述第2半 导体元件之背面之绝缘层; 形成于上述绝缘层,且至少露出上述多个第1元件 电极之一部份之开口部; 形成于上述绝缘层上,且和露出于上述开口部之上 述第1元件电极电气连接之布线层; 多个作为上述布线层之一部份形成于上述绝缘层 上,且和外部机器电气连接可能之外部电极。2.如 申请专利范围第1项所记载之半导体装置,其中: 上述第1半导体元件及上述第2半导体元件皆系半 导体晶片,上述第1半导体元件之上述主面之面积 大于上述第2半导体元件之上述主面之面积。3.如 申请专利范围第2项所记载之半导体装置,其中: 上述第1半导体元件系形成于半导体晶圆内之半导 体晶片。4.如申请专利范围第1项所记载之半导体 装置,其中: 至少上述多个外部电极之一部份形成于位于上述 第2半导体元件之上述背面上之绝缘层上。5.如申 请专利范围第1项所记载之半导体装置,其中: 上述第2半导体元件,系于上述第2半导体元件之背 面上至少具有一个和外部机器电气连接可能之外 部电极。6.如申请专利范围第1项所记载之半导体 装置,其中: 进一步备有形成于上述第1半导体元件之上述主面 上,且又具有让上述多个第1元件电极露出之开口 部之保护绝缘膜; 上述绝缘层系形成于上述保护绝缘膜上。7.如申 请专利范围第1至第6项之任一项中所记载之半导 体装置,其中: 又备有设于上述外部电极上之金属球。8.一种半 导体装置之制造方法,其中: 包括以下之制程: 准备具有排列有多个第1元件电极之主面之第1半 导体元件和具有排列有多个第2元件电极之主面之 第2半导体元件之制程; 使上述第1半导体元件之上述主面对峙上述第2半 导体元件之上述主面,之后,以连接部件电气连接 上述第1半导体元件中之上述多个第1元件电极中 之至少几个和上述第2半导体元件中之上述多个第 2元件电极中之至少几个之制程; 形成覆盖上述第2半导体元件之背面及上述第1半 导体元件之上述主面之绝缘层之制程; 于上述绝缘层上形成至少让上述多个第1元件电极 之一部份露出之开口部之制程; 于上述绝缘层上,形成与露出于上述开口部之上述 第1元件电极电气连接,且其一部份起和外部机器 电气连接可能之外部电极作用之布线层之制程。9 .如申请专利范围第8项所记载之半导体装置之制 造方法,其中: 进行完电气连接上述第1元件电极之至少几个和上 述第2元件电极中之至少几个制程后,又进行研磨 上述第2半导体元件之上述背面之制程。10.如申请 专利范围第8项所记载之半导体装置之制造方法, 其中: 进行完电气连接上述第1元件电极中之至少几个和 上述第2元件电极中之至少几个制程后,又进行向 互相对峙之上述第1半导体元件之上述主面和上述 第2半导体元件之上述主面之间充填密封树脂之制 程。11.如申请专利范围第8项所记载之半导体装置 之制造方法,其中: 于上述绝缘层上形成上述开口部之制程之后,又实 行将上述第2半导体元件之上述背面和上述绝缘层 研磨之制程;和于被研磨之上述第2半导体元件之 上述背面及上述绝缘层上,又形成绝缘层之制程。 12.如申请专利范围第8至第11项之任一项中所记载 之半导体装置之制造方法,其中: 又包括将金属球设于上述外部电极上之制程。13. 如申请专利范围第8项所记载之半导体装置之制造 方法,其中: 准备上述第1半导体元件和上述第2半导体元件之 制程,系准备形成有多个上述第1半导体元件之半 导体晶圆,且准备与多个形成于上述半导体晶圆上 之上述第1半导体元件相对应之上述第2半导体元 件之制程; 形成上述布线层之制程之后,又进行将上述半导体 晶圆分为一个一个之上述多个第1半导体元件之制 程。14.如申请专利范围第8项所记载之半导体装置 之制造方法,其中: 准备上述第1半导体元件和第2半导体元件之制程, 系准备半导体晶片状态之上述第1半导体元件及上 述第2半导体元件之制程。图式简单说明: 图1(a)系为第1实施形态所关系之半导体装置10之上 面一部份割去之示意图,图1(b)系为半导体装置10之 断面示意图。 图2(a)系为第1实施形态所关系之半导体装置30之上 面一部份割去之示意图,围2(b)系为半导体装置30之 断面示意图。 图3(a)-图3(g)系为说明第2实施形态所关系之半导体 装置制造方法之依制程顺序之断面图。 图4(a)-图4(g)系为说明第2实施形态所关系之半导体 装置制造方法之依制程顺序之断面图。 图5系为习知之半导体装置100之断面示意图。 |
