发明名称 半导体装置
摘要 本发明之目的在于提供一种半导体装置,用以防止用于半导体驻极体电容器微音器(麦克风)(electret condensermicrophone)中之半导体基板上所形成的电子电路之误动作。其解决手段系在半导体基板11上形成有固定电极层12,且介以间隔件14设有振动膜16。振动膜16之尺寸,系形成大于固定电极12之尺寸,且由于振动膜16会成为发生寄生电容之构成,所以在其间配置遮蔽金属33。
申请公布号 TW498697 申请公布日期 2002.08.11
申请号 TW089118441 申请日期 2000.09.08
申请人 三洋电机股份有限公司;星电股份有限公司 发明人 大川重明;大古田敏幸;大林义昭;安田护;佐伯真一;大泽周治
分类号 H04R19/04;H01L27/20 主分类号 H04R19/04
代理机构 代理人 洪武雄 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;陈昭诚 台北巿武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种半导体装置,其特征为:包含有, 固定电极层,形成于半导体基板之表面; 电子电路,形成于前述固定电极层周围之前述半导 体基板表面;以及 间隔件,用以安装与前述固定电极层成对以形成电 容器的振动膜, 前述电子电路,系由遮蔽金属所覆盖。2.如申请专 利范围第1项之半导体装置,其更包含有: 遮蔽配线,由实质包围前述电子电路所形成之导电 性材料所构成; 绝缘膜,用以覆盖前述遮蔽配线;以及 前述绝缘膜之开口部,露出于前述遮蔽配线之表面 , 介以前述开口部而电连接前述遮蔽金属与前述遮 蔽配线。3.一种半导体装置,其特征为:包含有,半 导体基板; 固定电极层,配置于前述半导体基板之实质中央; 电子电路,位于前述固定电极层之外侧; 电极配线,在前述电子电路中用以连接各电路元件 间; 遮蔽配线,由前述电极配线同层的配线层所构成, 用以实质包围前述电子电路; 绝缘膜之开口部,露出于前述遮蔽配线之表面; 遮蔽金属,介以前述开口部而电连接前述遮蔽金属 ,用以覆盖前述电子电路;以及 间隔件,形成于前述固定电极层周围之半导体基板 上,用以安装与前述固定电极层成对以形成电容器 的振动膜。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之 半导体装置,其更包含有成为前述电子电路之外部 连接电极的焊垫电极,而前述焊垫电极上已去除前 述遮蔽金属。5.如申请专利范围第1至3项中任一项 之半导体装置,其中遮蔽金属,系连接在接地电位 GND上。6.一种半导体装置,其特征为,包含有: 固定电极层,形成于半导体基板之表面; 电子电路,形成于前述固定电极层周围之前述半导 体基板表面;以及 间隔件,用以安装与前述固定电极层成对以形成电 容器的振动膜, 其形成前述电子电路之区域的半导体基板之表面, 系由绝缘膜所覆盖,而前述电子电路,系由形成于 前述绝缘膜上之遮蔽金属所覆盖, 以包围形成前述电子电路之区域的方式,设有使与 前述遮蔽金属同等的材料连续至前述半导体基板 之表面为止的部位。图式简单说明: 第1图系说明本发明之半导体装置的图。 第2图系第1图之A-A线的截面图。 第3图系显示安装振动膜之状态的图。 第4图系说明以往之半导体装置的图。
地址 日本